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GB/T 48170-2026 用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南

GB/T 48170-2026 Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor(GaN HEMT) based power conversion devices

国家标准 中文简体 即将实施 页数：16页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 48170-2026
标准类型
国家标准
标准状态
即将实施
中国标准分类号（CCS）
L40/49 半导体分立器件
国际标准分类号（ICS）
31.080.01 半导体器分立件综合
发布日期
2026-08-28
实施日期
2027-03-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
本文件提供了测试横向型GaN HEMT动态导通电阻的方法指南,动态导通电阻测试主要用于评估GaN HEMT中电荷俘获现象,该测试方法能应用于以下情况:
a) GaN增强型和耗尽型分立功率器件;
b) GaN集成功率芯片;
c) 上述对象的晶圆级或封装级样品。
提供的测试方法能用于GaN功率转换器中器件表征、产品测试、可靠性评估和应用场景验证。本文件不涉及动态导通电阻的基本原理及其在产品规格书中的符号表示。

发布历史

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研制信息

起草单位：
工业和信息化部电子第五研究所、广东工业大学、浙江大学杭州国际科创中心、中山大学、电子科技大学、北京大学、大连理工大学、南京大学、西安电子科技大学广州研究院、深圳飞骧科技股份有限公司、三微电子科技(苏州)有限公司、南方电网科学研究院有限责任公司、河北新华北集成电路有限公司、浙江大学、武汉大学、北京大学东莞光电研究院、无锡华润微电子有限公司、英诺赛科(苏州)半导体有限公司、北京小米移动软件有限公司
起草人：
何亮、施宜军、陈兴欢、蔡宗棋、贺致远、陈媛、路国光、陈义强、吴新科、刘扬、罗小蓉、来萍、王宏跃、韦覃如、魏进、黄火林、周峰、游淑珍、邓高强、陈立强、刘荣军、王达名、李潮、倪毅强、李峣、杜鹏搏、王成财、官权学、刘志宏、袁嵩、赵问鼎、张召富、刘强、张晓荣、王剑屏、杨强、崔朝探、刘小明、谌兴武
出版信息：
页数：16页 | 字数：17 千字 | 开本： 大16开

内容描述

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