T/CIE 152-2022 微电子器件假冒翻新物理特征识别方法与程序

ICS19020

CCSL.74

团体标准

T/CIE152—2022

微电子器件假冒翻新物理特征识别方法

与程序

Testmethodandprocedureforidentificationofphysicalcharacteristicsof

fakeandcounterfeitmicroelectronicsdevices

2022-12-31发布2023-01-31实施

中国电子学会发布

中国标准出版社出版

T/CIE152—2022

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

缩略语

4……………………2

方法与程序

5………………2

识别流程

5.1……………2

外部特征分析

5.2………………………3

内部特征分析射线检查法

5.3(X)……………………5

内部特征分析声学扫描显微镜检查法

5.4()…………5

内部微观特征分析

5.5…………………6

附录资料性典型图片

A()………………8

参考文献

……………………12

Ⅰ

T/CIE152—2022

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中国电子学会可靠性分会提出并归口

。

本文件起草单位工业和信息化部电子第五研究所中国空间技术研究院天津大学武汉大学广

:、、、、

东工业大学深圳市紫光同创电子有限公司

、。

本文件主要起草人周帅马凌志邱宝军罗宏伟王小强王斌罗捷罗军林晓玲武慧薇崔华楠

:、、、、、、、、、、、

马凯学吴裕功蔡念常胜温长清

、、、、。

Ⅲ

T/CIE152—2022

引言

微电子器件的假冒翻新现象日益泛滥制假以次充好的手段层出不穷而目前国内尚未有微电子

,、。

器件假冒翻新物理特征识别方法的国标军标及行标也没有形成统一流程化的识别指南造成行业内

、,、,

的检测人员器件使用人员仅依据现有的元器件破坏性物理分析失效分析的相关标准或方法开展工

、、

作无法准确有效地识别微电子器件的假冒翻新特征本文件规定了微电子器件假冒翻新物理特征识

,。

别方法与程序用以指导微电子器件行业的各方人员开展微电子器件的假冒翻新物理特征识别工作

,。

Ⅳ

T/CIE152—2022

微电子器件假冒翻新物理特征识别方法

与程序

1范围

本文件规定了微电子器件假冒翻新物理特征识别方法与程序包括外部特征分析内部特征分析以

,、

及内部微观特征分析

。

本文件适用于塑封及气密封装的微电子器件

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件机械和气候试验方法第部分外部目检

GB/T4937.33:

半导体集成电路外形尺寸

GB/T7092

集成电路术语

GB9178

膜集成电路和混合膜集成电路术语

GB/T12842

微电子器件试验方法和程序

GJB548B

军用电子元器件破坏性物理分析方法

GJB4027A—2006

半导体器件机械和环境试验方法第部分塑封电子器件的声学显微检测方

IEC60749-3535:

法

(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part35:Acousticmicroscopyfor

plasticencapsulatedelectroniccomponents)

3术语和定义

和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GJB548B、GB9178GB/T12842。

31

.

假冒counterfeit

通过特定的加工处理在产品的外形安装功能和等级方面作假以此冒充某品牌的同一生产批

,、、,

次同型号或质量等级的产品

、。

32

.

翻新fake

将淘汰的使用过的不同质量等级的或者制造过程中的残次品经过特殊的工艺处理掩盖原有的

、,,,

器件信息

。

33

.

微电子器件microelectronicdevice

单片多片膜和混合集成电路以及构成这些电路的各种元件

、、,。

34

.

正品authentic

该器件为某厂商生产的产品具备相关知识产权完全符合质量标准的产品

,。

1