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T/CNIA 0017-2019 多晶硅用氯硅烷中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

T/CNIA 0017-2019 Determination of Impurity Content in Polysilicon Using Chlorosilane by Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry (ICP-MS)

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CNIA 0017-2019
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H17 半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类号（ICS）
77.040.01 金属材料试验综合
发布日期
2019-02-13
实施日期
2019-06-01
发布单位/组织
-
归口单位
中国有色金属工业协会
适用范围
主要技术内容:本标准规定了多晶硅用氯硅烷中杂质（硼、磷、铁、钙、铝、铬、镍、铜、锌、钛、钾、钠）含量的电感耦合等离子体质谱测定方法。本标准适用于多晶硅用氯硅烷中杂质（硼、磷、铁、钙、铝、铬、镍、铜、锌、钛、钾、钠）含量的测定，测定范围为0 μg/L ～1000 μg/L

发布历史

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研制信息

起草单位：
新特能源股份有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、新疆东方希望新能源有限公司、内蒙古神舟硅业有限责任公司、宜昌南玻硅材料有限公司
起草人：
银波、邱艳梅、刘国霞、罗建文、谭忠芳、于生海、宗金平、宗凤云、孟凡江、张云晖
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

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