GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

GB/T 41751-2022 Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers

国家标准中文简体现行页数：9页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 41751-2022

标准类型

国家标准

标准状态

现行

中国标准分类号（CCS）

H21 金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）

77.040 金属材料试验

发布日期

2022-10-12

实施日期

2023-02-01

发布单位/组织

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

适用范围

本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。
本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试，氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。

发布历史

2022年10月

GB/T 41751-2022　氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

当前标准现行 2022-10-12

文前页预览

研制信息

起草单位：: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司、厦门柯誉尔科技有限公司、山西华晶恒基新材料有限公司、福建兆元光电有限公司

起草人：: 邱永鑫、徐科、王建峰、任国强、李腾坤、左洪波、郑树楠、刘立娜、杨鑫宏、邝光宁、丁崇灯、陈友勇

出版信息：: 页数：9页 | 字数：20 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS77.040

CCSH21

中华人民共和国国家标准

/—

GBT417512022

氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

TestmethodforradiusofcurvatureofcrstallaneinGaNsinle

ypg

crstalsubstratewafers

2022-10-12发布2023-02-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT417512022

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/

定制服务

关联标准

引用标准

GB/T 14264

GB/T 14264-2024 半导体材料术语

现行

GB/T 14264-1993 半导体材料术语

被代替

GB/T 14264-2009 半导体材料术语