GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
GB/T 41751-2022 Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
国家标准
中文简体
现行
页数：9页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 41751-2022
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2022-10-12
实施日期
2023-02-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。
本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试，氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。
本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试，氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。
发布历史
-
2022年10月
研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司、厦门柯誉尔科技有限公司、山西华晶恒基新材料有限公司、福建兆元光电有限公司
- 起草人：
- 邱永鑫、徐科、王建峰、任国强、李腾坤、左洪波、郑树楠、刘立娜、杨鑫宏、邝光宁、丁崇灯、陈友勇
- 出版信息：
- 页数：9页 | 字数：20 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT417512022
氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
TestmethodforradiusofcurvatureofcrstallaneinGaNsinle
ypg
crstalsubstratewafers
y
2022-10-12发布2023-02-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT417512022
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
。。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/
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