GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法

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中华人民共和国国家标准

GB/T18032—2000

碑化¥家单晶AB微缺陷检验方法

TheinspectingmethodofABmicroscopicdefectin

galliumarsenidesinglecrystal

2000-04-03发布2000-09-01实施

国家质量技术监督局发布

GB/T180322000

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碑化傢晶片是光电、微波及高速集成电路等器件的重要衬底材料。近年来，普遍认为衬底材料中的

AB微缺陷对器件的性能有明显的影响。例如对神化稼FET器件性能进行测试之后，用AB腐蚀液显示

FET芯片上的AB微缺陷，发现芯片上的AE微缺陷密度高时,FET器件的低频跨导很低；当AB微缺

陷密度低时,FET的低频跨导较高。由此可见AE液显示的AB微缺陷密度对了解衬底质量和提高器件

性能是一个不可忽略的参数。

目前国内外都在对神化稼单晶AB微缺陷进行研究。但是在检验方法上还没有形成一个统一的规

范。在此时制定《神化傢单晶AB微缺陷检验方法》的国家标准是适时的、非常必要的。

本标准可为种化稼材料和器件的生产、科研单位对AB微缺陷的检验提供依据。

本标准由国家有色金属丁业局提出。

本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所归口。

本标准由北京有色金属研究总院起草。

本标准主要起草人:王海涛、钱嘉裕、王彤涵、宋斌、樊成才。

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中华人民共和国国家标准

碑化镌单晶AB微缺陷检验方法GB/T180322000

TheinspectingmethodofABmicroscopicdefectin

galliumarsenidesinglecrystal

1适用范围

本标准规定了神化傢单晶AB微缺陷的检验方法。

本标准适用于碑化傢单晶AB微缺陷密度(AB-EPD)的检验。检验面为(100)面。测量范围小于5X

105cm20

2定义

2-1AB腐蚀液ABetchant

AB腐蚀液用于显示种化傢单晶AB微缺陷及位错线的一种化学腐蚀剂。

2-2AB微缺陷ABmicrodefect

神化傢单晶片经AB腐蚀液腐蚀后，在(100)面上显示出的椭圆状腐蚀坑所表征的微缺陷。

2-3AB微缺陷密度(AB-E