GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

ICS77.040

H17GB

中华人民共和国国彖标淮

GB/T17170—2015

代善GB/T17170—1997

半绝缘碑化卡家单晶深施主EL2

浓度红外吸收测试方法

TestmethodfortheEL2deepdonorconcentrationinsemi-insulating

galliumarsenidesinglecrystalsbyinfraredabsorptionspectroscopy

2015-12-10发布2016-07-01实施

幅畿勰畫曹1警彎畫发布

GB/T17170—2015

-—1—

刖旨

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T17170—1997《非掺杂半绝缘神化傢单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法》。

本标准与GB/T17170-1997相比，主要有以下变化：

修改了标准名称；

——增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”等章；

-扩展了半绝缘碑化傢单晶电阻率范围，将电阻率大于IO?Q•cm修改为大于10"Q•cm；

——将范围由“非掺杂半绝缘碑化傢单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘神化傢单晶”；

—-—删除了0.4mm〜2mm厚度测试样品的解理制样方法。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、

中国电子材料行业协会。

本标准主要起草人:何秀坤、李静、张雪回。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

GB/T17170—1997O

GB/T17170—201