GB/T 24366-2009 通信用光电探测器组件技术要求
GB/T 24366-2009 Technical requirements of optoelectronic detector module for communication
基本信息
发布历史
-
2009年09月
-
2024年09月
研制信息
- 起草单位:
- 武汉邮电科学研究院、深圳新飞通光电子技术有限公司
- 起草人:
- 杨现文、李世瑜、孟湘、李春芳、镇磊
- 出版信息:
- 页数:12页 | 字数:12 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS33.180.01
M33
中华人民共和国国家标准
GB/T24366—2009
通信用光电探测器组件技术要求
Technicalrequirementsofoptoelectronicdetectormoduleforcommunication
2009-09-30发布2009-12-01实施
发布
GB/T24366—2009
-1.Z-—1—
刖弓
通信用光电探测器组件》系列标准包括:
——通信用光电探测器组件测试方法》;
——通信用光电探测器组件技术要求》。
本标准与GB/T24365通信用光电探测器组件测试方法》配套使用。
本标准在编制的过程中,参照了IEC62CO7-1:1999«光纤系统用半导体光电器件第1部分:基本
额定值和特性》的第6部分和第7部分,并结合我国光通信用光探测器组件的情况而制定。
本标准在起草过稈中,注意到与下列标准的协调一致:
-GB/T15651.2-2003«半导体分立器件和集成电路第5-2部分:光电子器件基本额定值
和特性》;
-GB/T18904.4—2002半导体器件第12-4部分:光电子器件纤维光学系统或子系统用
带/不带尾纤的pin-FET模块空白详细规范》;
-GB/T18904.5—2003半导体器件第12-5部分:光电子器件纤维光学系统或子系统用
带/不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范标准》。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国通信标准会协会归口。
本标准起草单位:武汉邮电科学研究院、深圳新飞通光电子技术有限公司。
本标准主要起草人:杨现文、李世瑜、孟湘、李春芳、镇磊。
T
GB/T24366—2009
通信用光电探测器组件技术要求
1范围
本标准规定了通信用光电探测器组件的技术要求。
本标准适用于数字应用光通信系统以及模拟应用光通信系统中的光电探测器组件。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T11499—2001半导体分立器件文字符号
GB/T15651.2-2003半导体分立器件和集成电路第5-2部分:光电子器件基本额定值和
特性
SJ/T11363—2006电子信息产品中有毒有害物质的限量要求
ITU-TG.657(2006)接入网使用的弯曲损耗不敏感的单模光纤和光缆的特性
ITU-TG.957(2006)与同步数字体系有关的设备和系统的光接口
3术语和定义、缩略语
3.1术语和定义
下列术语和定义适用于本标准。
3.1.1
OMA加压灵敏度stressedreceiversensitivityinOMA
在规定调制速率和规定的正弦抖动加压条件下,并满足随机比特差错率要求时,光接收机在R点
(见ITU-TG.957图1)所能接收到的最小光调制幅度(MA。它考虑了在应用条件下,光接收机所具
有并允许的最坏消光比、脉冲上升和下降吋间、光发射侧的光回损,连接器性能劣化和测试容差所引起
的功率代价。
3.1.2
击穿电压breakdownvoltage
输入光功率等于零,逐渐增加APD的反向偏压,暗电流随之增大,当喑电流达到10卩A(或100mA
吋所对应的反向偏压称为APD的击穿电压。
3.1.3
光电倍增因子multiplicationfactor
APD在规定温度、光波长、光功率和反向偏压下,有培增时的光电流rL与无倍增吋光电流Aq之比。
3.1.
频响平坦度frequencyresponseflatness
在某一频率范围内的响应值偏离其最佳拟合直线的最大值。
3.1.5
二阶失真secondorderdistortion
在多频道模拟传输系统中,由于系统的非线性传输特性,多频率的模拟信号会相互调制而产生多阶
项的互调失真,其中二阶项引起的互调失真称为二阶失真。
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GB/T24366—2009
3.1.6
三阶失真thirdorderdistortion
在多频道模拟传输系统中,由于系统的非线性传输特性,多频率的模拟信号会相互调制而产生多阶
项的互调失真,其中三阶项引起的互调失真称为三阶失真。
3.2缩略语及符号
下列缩略语和符号及GB/T11499.GB/T15651.22003的缩略语和符号均适用于本标准。
APDAvalanchePhotoDiode雪崩二极管
CSOSecondorderdistortion二阶失真
CTBThirdorderdistortion三阶失真
ESDElectro-StaticDischarge静电放电
NRZNonReturntoZero非归零
OMAOpticalModulationAmplitude光调制幅度
ORLOpticalReturnLoss光回波损耗
PDPhotodiode光电二极管
PIN6P-type,-Intrinsic-'N-type,P型-本征-N型
PRBSPseudo-RandomBitSequence伪随机比特序列
RoHSTheRestrictionoftheUseof电气、电子设备中限制使用某些有
CertainHazardousSubstancesin害物质指令
ElectricalandElectronic
Equipment
TIATransimpedanceAmplifier跨阻抗放大器
4分类
4.1应用类型
按照应用类型的不同,可以分为2类:数字应用光电探测器组件、模拟应用光电探测器组件。
4.2光电探测器组件的管芯类型
按照光电探测器组件的管芯类型的不同,可以分为2类:PIN/TIA光电探测器组件、APD/TIA光
电探测器组件。
4.3波长
按波长的不同,可以分为2类:短波长光电探测器组件、长波长光电探测器组件。
4.4光输入类型
按照光输入类型的不同,可以分为2类:可插拔光电探测器组件、尾纤光电探测器组件。
5技术要求
5.1PIN/TIA光电探测器组件
5.1.1极限工作条件
PIN/TIA光电探测器组件的极限工作条件如表1所示,除非另有规定,适用整个工作温度范围。
表1PIN/TIA光电探测器组件的极限工作条件
参数名称符号单位最小值最大值
贮存温度Tstg"C
定制服务
推荐标准
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