GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法
GB/T 36613-2018 Probe test method for light emitting diode chips
国家标准
中文简体
现行
页数：10页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2018-09-17
实施日期
2019-01-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
中华人民共和国工业和信息化部(电子)
适用范围
本标准规定了发光二极管芯片(以下简称“芯片”)光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
发布历史
-
2018年09月
研制信息
- 起草单位：
- 三安光电股份有限公司、厦门市三安光电科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、广州赛西标准检测研究院有限公司
- 起草人：
- 蔡伟智、梁奋、刘秀娟、李国煌、吕艳、金威、邵晓娟、周钢、时军朋
- 出版信息：
- 页数：10页 | 字数：16 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS31.260
L45
中华人民共和国国家标准
/—
GBT366132018
发光二极管芯片点测方法
Probetestmethodforlihtemittindiodechis
ggp
2018-09-17发布2019-01-01实施
国家市场监督管理总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT366132018
目次
前言…………………………Ⅰ
引言…………………………Ⅱ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4芯片测试条件及步骤……………………2
5电参数点测………………5
6光参数点测………………5
7静电放电敏感性点测……………………6
/—
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