GB/T 4295-2019 碳化钨粉

ICS29.045

H82

中华人民共和国国家标准

/—

GBT52382019

代替/—

GBT52382009

锗单晶和锗单晶片

Monocrstallineermaniumandmonocrstallineermaniumslices

ygyg

2019-06-04发布2020-05-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT52382019

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

/—《》。/—,

本标准代替GBT52382009锗单晶和锗单晶片与GBT52382009相比除编辑性修改外

主要技术变化如下:

———,“”“”(,);

修订了标准适用范围将外延衬底改为红外光学部件见第章年版的第章

120091

———规范性引用文件中删除了/、/,增加了/、/、

GBT1552GBT5254GBT1555GBT14264

/、/(,);

见第章年版的第章

GBT14844GBT26074220092

———();

增加了术语和定义见第章

3

———(,);

修订了牌号表示方法见4.12009年版的3.2

———();

增加了非掺杂锗单晶的要求见第章

4

———,(,);

断面电阻率不均匀度改为径向电阻率变化并修订了其要求见4.2.32009年版的3.3.1.1

———·(,);

修订了电阻率小于1.0Ωcm锗单晶的少数载流子寿命要求见4.2.42009年版的3.3.1.2

———(,);

修订了锗单晶晶体完整性的要求见4.2.6.12009年版的3.3.1.4

———(,);

修订了直径10mm~100mm锗单晶的直径相对允许偏差的要求见4.2.72009年版的3.3.2.1

———();

增加了直径大于100mm锗单晶的要求见4.2.7

———();

删除了长度的要求见2009年版的3.3.2.1

———();

增加了锗单晶表面质量的要求见4.2.8

———(,);

修订了锗单晶片几何参数的要求见4.3.22009年版的3.3.2.2

———(,);

修订了锗单晶片表面质量的要求见4.3.32009年版的3.3.3

———、、(,)。

修订了组批检验项目取样及检验结果的判定见第章年版的第章

620095

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/)与全国半导体设备和材料标准

SACTC203

化技术委员会材料分技术委员会(//)共同提出并归口。

SACTC203SC2

:、、

本标准起草单位中锗科技有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司广东先导稀材股份有限公

、、。

司有色金属技术经济研究院北京合能阳光新能源技术有限公司

:、、、、、、。

本标准主要起草人柯尊斌刘新军惠峰朱刘尹士平杨素心肖宗镛

本标准所代替标准的历次版本发布情况为:

———/—、/—、/—;

GBT52381985GBT52381995GBT52382009

———/—。

GBT157131995

Ⅰ

/—

GBT52382019

锗单晶和锗单晶片

1范围

、、、、、、、

本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求试验方法检验规则标志包装运输贮存质量证明书

()。

及订货单或合同内容

、、。

本标准适用于制备半导体器件激光器组件红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片

2规范性引用文件

。,

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,()。

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

/非本征半导体材料导电类型测试方法

GBT1550

/硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GBT1553

/半导体单晶晶向测定方法

GBT1555

/—:()

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GBT2828.120121AQL

计划

/锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

GBT5252

/半导体材料术语

GBT14264

/半导体材料牌号表示方法

GBT14844

/锗单晶电阻率直流四探针测量方法

GBT26074

3术语和定义

/界定的术语和定义适用于本文件。

GBT14264

4要求

4.1牌号

锗单晶和锗单晶片的牌号表示应符合/的规定。

GBT14844

4.2锗单晶

4.2.1导电类型

、。

锗单晶的导电类型分型型两种

NP