GB/T 7167-2008 锗γ射线探测器测试方法

GB/T 7167-2008 Test procedures for germanium gamma-ray detectors

国家标准 中文简体 现行 页数:12页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 7167-2008
相关服务
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2008-07-02
实施日期
2009-04-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国核仪器仪表标准化技术委员会
适用范围
本标准规定了锗γ射线探测器的性能测试方法。 本标准适用于高纯锗γ射线探测器的性能测试,也适用于高纯锗X射线探测器和锗(锂)探测器的性能测试。

发布历史

研制信息

起草单位:
中国原子能科学研究院
起草人:
袁大庆、魏可新
出版信息:
页数:12页 | 字数:21 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS27.120

F88

a亘

中华人民共和国国家标准

7167—2008

GB/T

代替GB/T71671996

锗丫射线探测器测试方法

Testfordetectors

gamma—ray

proceduresgermanium

(IEC

60973:1989,NEQ)

2009—04—0

2008—07—02发布1实施

宰瞀戳鬻瓣訾矬瞥星发布中国国家标准化管理委员会仪1”

7167—2008

GB/T

前言

本标准对应于IEC60973:1989《锗7射线探测器测试方法》,与IEC60973:1989一致性程度为非

等效。

本标准代替GB/T7167--1996《锗7射线探测器测试方法》。

本标准与GB/T7167—1996相比主要变化如下:

——修改了术语和定义中能量分辨力和探测器窗厚度等部分(见本标准3.16、3.17、3.25);

——删除了锗探测器分类部分(见原标准第3章);

——修改了探测效率部分(见本标准第6章)。

本标准由中国核工业集团公司提出。

本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会归口。

本标准起草单位:中国原子能科学研究院。

本标准主要起草人:袁大庆,魏可新。

7167

本标准所代替标准的历次版本发布情况为:GB/T1987、GB/T7167—1996。

7167—2008

GB/T

锗丫射线探测器测试方法

1范围

本标准规定了锗7射线探测器的性能测试方法。

本标准适用于高纯锗7射线探测器的性能测试,也适用于高纯锗x射线探测器和锗(锂)探测器的

性能测试。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有

的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。

JJG578—1994锗7谱仪体源活度测量装置检定规程

JJG752—1991锗7谱仪活度标准装置检定规程

3术语和定义

下列术语和定义适用于本标准。

3.1

高纯锗high-purltygermanium(HPGe)

在室温下,电活性杂质净浓度稳定的锗单晶,杂质净浓度典型值小于3×10”cm。在适当的偏压

下,由常规尺寸高纯锗单晶制成的探测器可达到全耗尽。

3.2

semiconductordetector

平面型半导体探测器planar

半导体探测器的两电接触极面是平行的。

3.3

semiconductordetector

同轴半导体探测器coaxial

半导体探测器的两电接触极面是部分或全部同轴的。一般地,某一个电极的一端是闭合的,称为单

开端同轴探测器。两个电极端都不是闭合的,称为双开端同轴探测器。

3.4

coaxialdetector

普通电极同轴探测器conventional-electrode

外接触层(外电极)是N+型的同轴探测器,外电极上加正偏压。因探测器晶体采用P型高纯锗,

又称P型同轴探测器。

3.5

coaxialdetector

反电极同轴探测器reverse-electrode

外接触层(电极)是P型的同轴探测器,外电极上加负偏压。因探测器晶体采用N型高纯锗,又称

N型同轴探测器。

3.6

coaxialdetector

井型同轴探测器well-type

探测器灵敏体积中有一与电极同轴的井形圆柱孔。测量样品可以放人井中,被探测器灵敏区所包

7167—2008

GB/T

围,源一探测器立体角接近4Ⅱ。

3.7

usemiconductor

(半导体探测器的)偏压bias(ofdetector)

半导体探测器两电极间所施加的反向工作电压。

3.8

耗尽区depletionregion

移动的载流子电荷密度不足以中和半导体内施主或者受主的净固定电荷密度的区域。对于二极管

型半导体射线探测器,耗尽区就是探测器的灵敏区。

3.9

耗尽电压depletionvoltage

使得半导体探测器的结变成全耗尽所加电压。

3.10

死层dead

layer

半导体探测器中的一层,射线粒子在其中的能损对最终信号没有明显贡献。

3.11

carrier

载流子charge

移动的传导电子或空穴。

3.12

collectiontime

电荷收集时间charge

电离粒子通过半导体探测器后,收集电荷形成积分电流所需要的时间间隔。以其最终值的10%上

升到90%所需要的时间来表示。

3.13

widthathalfmaximum

半高宽(FwHM)full

测量能峰分布的峰值一半处的宽度。对于正态分布,半高宽等于2厄1ii倍标准差。

3.14

widthat0.1maximum

十分之一高宽(FWTM)full

测量能峰分布峰值的十分之一处的宽度。

3.15

widthat0.02maximum

五十分之一高宽(FWFM)full

测量能峰分布峰值的五十分之一处的宽度。

3.16

asemiconductordetector)

resolution(of

(半导体探测器的)能量分辨力energy

探测器能够分辨的两个粒子能量之间的最小值。对于给定能量,用探测器对(包括探测器漏电流噪

声)脉冲高度分布的FWHM的贡献表征,以能量单位表示。

3.17

asemiconductordetectorand

(半导体探测器和前放组合的)能量分辨力resolution(of

energypre—

combination)

amplifier

探测器和前放组合的测量系统能够分辨的两个粒子能量之间的最小值。对于给定能量,用测量能

谱能峰的FWHM表征,以能量单位表示。

3.18

resolution

定时时间分辨力timing

探测系统能够分辨的两个脉冲之间的最小时间间隔。用定时时间分布谱峰的半高宽表征,以时间

单位表示。

2

GB/T7167—2008

3.19

定制服务

    推荐标准