适用范围：本文件规定了X、γ射线充气电离室（以下简称“电离室”)的技术要求、检验规则和包装、运输、贮存、标志等，描述了相应的试验方法。 本文件适用于辐射防护和辐射环境监测用X、γ射线充气电离室的设计、制造和检验，其他应用场合的电离室参考使用。

适用范围：本文件提供了闪烁体和闪烁探测器的命名（标识)以及闪烁体的标准尺寸指导。 本文件适用于在闪烁体计数和闪烁体能谱测量探测器使用的固体有机或无机闪烁体。 本文件不适用于液体闪烁体探测器。

适用范围：范围:本标准规定了光谱范围为140nm?1100nm的电子倍增电荷耦合成像器件（以下简称电子倍增CCD器件）的术语和参数测试方法。 本标准适用于光谱范围为140nm?1100nm的电子倍增电荷耦合成像器件的参数测试; 主要技术内容:各项性能测试的详细要求见本标准下列的各测试方法。本标准规定的测试方法分类如下：——方法01  倍增寄存器满阱容量测试；——方法02  增益测试；——方法03  等效读出噪声测试；——方法04  噪声因子测试；——方法05  暗信号测试；——方法06  暗信号非均匀性测试；——方法07  光响应非线性测试；——方法08  信噪比测试；——方法09  缺陷测试；——方法10  光谱响应范围测试

适用范围：本文件描述了测量高纯锗晶体基本特征的术语和试验方法。包括电活性杂质净浓度(NA-ND)、深能级杂质中心浓度和晶体学特性。本文件适用于γ射线和X射线辐射探测器用高纯锗晶体。此锗单晶的电活性杂质中心的净浓度小于1011 cm-3，通常是1010 cm-3量级。本文件中所列测试方法并非法定方法，但在工业中得到了广泛的应用，并为探测器制造商提供了可验证的信息，满足了制造商的需求。在GB/T 7167-2008和GB/T 11685-2003中给出了完整的组装锗探测器的试验方法。

适用范围：本标准规定了封装闪烁体的光输出和固有分辨率等参数的测量系统和测量方法。 本标准适用于对α、β、γ、X辐射和中子进行计数和能谱测定的封装闪烁体。

适用范围：本标准规定了带电粒子半导体探测器的电特性和核辐射性能的测量方法以及某些特殊环境的试验方法。 本标准适用于带电粒子部分耗尽层的半导体探测器。 全耗尽型半导体探测器的测量可参照本标准执行。

适用范围：本标准规定了使用现行可得到的各种电离室确定放射性核素活度的定量技术。本标准的应用限于包含井型电离室作探测器的仪器，它是一个复合系统，包括电离室以及与其总体连接的、将电离室电流变换为以活度为单位读出的合适电路。本标准为得到准确度不超过±6%而重复性不大于2%（通常对大于3.7×106 Bq(100 μCi)的放射源）的测量提供方法。

适用范围：本标准适用于在闪烁探测器或切伦科夫探测器中使用的固态光电二极管（PD）或光电二极管阵列（PDA）。本标准推荐的试验方法也适用于雪崩二极管（APD），但需要附加本标准描述的特殊试验方法。 本标准中描述的试验不是强制性的，但宜按这里描述的程序进行规定性能的试验。 本标准的目的是为闪烁探测器中使用的光电二极管建立标准试验方法，同时规定了供应商应提供的每种型号光电二极管的数据。

适用范围：本标准规定了锗γ射线探测器的性能测试方法。 本标准适用于高纯锗γ射线探测器的性能测试，也适用于高纯锗X射线探测器和锗(锂)探测器的性能测试。

适用范围：本标准规定了盖革-米勒计数管的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存方法。 本标准适用于探测X、γ射线的有机计数管（简称有机管）和卤素计数管（简称卤素管）。

适用范围：本标准规定了与盖革-米勒计数管有关的术语和定义、测试条件和测试方法。 本标准适用于盖革-米勒（或GM）计数管参数和特性的测试。

适用范围：本标准规定了硅（锂）X射线探测器系统的产品分类、技术要求、试验方法和检测规则等。 本标准适用于带有液氮贮存容器的室内用硅（锂）X射线探测器系统，但不适用于扫描电镜的、便携式或非液氮冷却硅（锂）X射线探测器系统。

适用范围：本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器（简称探测器）的产品分类、技术要求、测试方法、检验规则等。 本标准适用于部分耗尽金硅面垒型探测器（不包括位置灵敏探测器）。锂漂移金硅面垒型探测器也可参照执行。

适用范围：本标准给出光电倍增管相关术语，规定了光电参数的测试、其他特性的检查和试验以及标志等。 本标准适用于具有分立倍增极的光电倍增管的产品试验和检验。

适用范围：本标准规定了塑料闪烁体的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装和贮存等。 本标准适用于各种塑料闪烁体产品，是这类产品质量检验和质量评定的依据。