GB/T 13178-2008 金硅面垒型探测器

ICS27．120

F88

a雪

中华人民共和国国家标准

13178—2008

GB／T

13178--1991

代替GB／T

金硅面垒型探测器

surfacebarrierdetectors

silicon

Partiallydepleted

gold

2008—07-02发布

丰瞀鹃紫瓣警矬瞥星发布中国国家标准化管理委员会“19

13178—2008

GB／T

刖罱

本标准参考了IEC60333：1993《核仪器半导体带电粒子探测器测试程序》。

13178

本标准代替GB／T1991《金硅面垒型探测器》(以下简称原标准)。

本标准保留GB／T13178--1991的大部分内容，对其的主要修改如下：

——增加前言；

一引用新的规范性文件；

——产品的外形及结构尺寸仅保留A型，删去原标准的B型和c型；

——部分耗尽金硅面垒型探测器的分类仅保留最小耗尽层深度为300／Lm一类，而主要性能增加

“允许最大噪声”。

本标准由中国核工业集团公司提出。

本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会归口。

本标准起草单位：中核(北京)核仪器厂。

本标准主要起草人：李志勇。

131781991。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：GB／T

13178--2008

GB／T

金硅面垒型探测器

1范围

本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器(简称探测器)的产品分类、技术要求、测试方法、检验规

则等。

本标准适用于部分耗尽金硅面垒型探测器(不包括位置灵敏探测器)。锂漂移金硅面垒型探测器也

可参照执行。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

IEC

60333：1993)

GB／T5201带电粒子半导体探测器测试方法(GB／T5201--1994，neq

GB／T10257--2001核仪器和核辐射探测器质量检验规则

3术语和定义以及符号

3．1术语和定义

下列术语和定义适用于本标准。

3．1．1

detector

barriersemiconductor

面垒型半导体探测器surface

由表面上的反型层产生的结形成势垒的半导体探测器。

3．1．2

耗尽层(灵敏层)depletionlayer

半导体探测器中对辐射灵敏的那一层半导体材料，粒子在其中损耗的能量可转换成电信号。

3．1．3

部分耗尽partialdepletion

耗尽层深度小于半导体材料基片的厚度。

3．1．4

area

灵敏面积sensitive

探测器中辐射最易进入耗尽层的那部分表面。

3．1．5

widthathalfmaXimum

半高宽(FWHM)full

在谱线中，由单峰构成的分布曲线上，峰值一半处两点问横坐标之差。

3．1．6

resolution

能量分辨力energy

探测器分辨入射粒子能量的能力。通常以规定能量射线谱线的半高宽表示。

3．2符号和代号

下列符号和代号适用于本标准。

13178—2008

GB／T

3．2．1

a分辨力

对“1Am源5．486

MeV的a粒子，使用标准电子学设备，成形时间常数常为0．5ps时，所测出的整

个系统的分辨力(keV)。

3．2．2

p分辨力

在3．2．1同样条件下，由脉冲产生器信号峰的半高宽(FWHM)模拟8粒子的分辨力(keV)。

3．2．3

E1、E2

分别代表能量为5．486MeV及5．443MeV。

3．2．4

N，、Ⅳ2

分别代表能量E1、易所对应的道址。

3．2．5

AM

以道址表示的“1Am源5．486MeV的a粒子峰的半高宽。

3．2．6

AⅣI

以道址表示的产生器信号峰的半高宽。

4产品的结构

4．1产品的外形及结构尺寸

产品的外形见图1，结构尺寸见表1。

『

◎一l

Ⅳ——半导体探测器的有效直径mm

C——探测器的外径mm；

D——引线电极高度mm；

H——探测器外壳高度mm。

图1部分耗尽金硅面垒型探测器

13178～2008

GB／T

表1部分耗尽金硅面垒型探测器结构尺寸单位为毫米

标称值

灵敏直径

WCHD

5512

88