GB/T 13178-1991 金硅面垒型探测器

中华人民共和国国家标准

金硅面垒型探测器GB/T13178一91

Partiallydepletedgoldsilicon

surfacebarrierdetectors

主题内容与适用范围

本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器简（称探测器）的分类、技术要求、测试方法、检验规则等。

本标准适用于部分耗尽金硅面垒型探测器不（包括位置灵敏探测器）。铿漂移金硅面垒型探测器也

可参照执行。

2引用标准

GB5201带电粒子半导体探测器测试方法

GB10257核仪器与核辐射探测器质量检验规则

3术语、符号、代号

3.1术语

3.1.1面垒型半导体探测器surfacebarriersemiconductordetector

由表面上的反型层产生的结形成势垒的半导体探测器。

3.1.2耗尽层灵（敏层）depletionlanyer

半导体探测器中构成灵敏体积的一层半导体材料，粒子在其中损耗能量的绝大部分对输出信号均

有贡献。

3.1.3部分耗尽partialdepletion

耗尽层深度小于半导体材料基片的厚度。

3.1.4灵敏面积sensitivearea

探测器中辐射最易进入耗尽层的那部分面积。

3.1.5半高宽F（WHM)fullwidthathalfmaximum

在仅由单峰构成的分布曲线上，峰值一半处两点的横坐标之间的距离。

3.1.6能量分辨率energyresolution

探测器对能谱高度分布FWHM的贡献包（括探测器漏电流噪声）以能量单位表示。

3.2符号、代号

3.2.1

对241Am源5.486MeV的a粒子，使用标准电子学设备，成形时间常数为0.5yes时，表示整个系统

的分辨率k（eV)o

3.2.2R

在3.2.1同样条件下，表示由脉冲产生器信号峰的半高宽(F（WHM）近似的p粒子的分辨率k（eV)o

3.2.3EI.EZ

国家技术监督局1991一04一11批准1992一05一01实施

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GB/T13178一91

分别代表能量为5.486MeV及5.443MeV,

3.2.4N,,N2

分别代表能量E,,E：所对应的道数。

12.5AN.

以道数表示的’s'Am源5.486McVa粒子峰的半高宽。

12.6ANo

以道数表示的产生器信号峰的半高宽。

4产品的分类

4.1产品的外形及结构尺寸

产品按外形和结构的不同分成A型,B型和C型。产品的外形见图1，结构尺寸见表1,

叠叠

A型结构B型结构C型结构

图1部分耗尽金硅面垒型探测器

表1部分耗尽金硅面垒型探测器结构尺寸

灵敏面积标称值A型结构B型结构C型结构

mm2WCHDCHDCHD

73.016

255.61819.4

508.0151819.4

10011.3192526.1

127.0

15013.8226.02526.17.69.9

20016.0243031..6

16.5

30019.5293031.6

45023.9373634.8

60027.6427.538.4

90033.952

4.1.1产品B49,c型结构中所用电缆插座与国际Microdot电缆插座相同。

Gs/T13178一91

W公差为士0.5mm,C,H,D公差为士0.3mm,

环形探测器孔直径通常为4mm，也可为6mm,8mm或其它。

月了内

兮：‘产品的标记

产品的标记由型号及技术特性代号两部分组成，其表示方法如下：

GMlA-XX—XXX—XXX

—｝表示探测器的耗尽层深度

—表示探测器灵敏面积

—表示。的数值

L一一一一一一一一一一－一－一－一－表示部分耗尽金硅面垒型探测器加（A表示环

形，不加A表示圆形）

注：技术特性代号中的位数可根据实际情况扩展。

月1

﹃︺产品的规格及系列

部分耗尽金硅面垒型探测器系列由圆型和环型部分耗尽金硅面垒型探测器系列组成。

产品按其不同的灵敏面积，耗尽层深度及对Q粒子的分辨率而分类，圆形和环形探测器的分类分别

列于表2与表3,

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GB/T13178一91

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