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T/CASAS 004.1-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语

T/CASAS 004.1-2018 Defect terminology for 4H silicon carbide substrates and epitaxial layers

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CASAS 004.1-2018
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H20/29 金属理化性能试验方法
国际标准分类号（ICS）
31.080.01 半导体器分立件综合
发布日期
2018-11-20
实施日期
2018-11-20
发布单位/组织
-
归口单位
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围
主要技术内容:由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了规范4H-SiC缺陷术语和定义，特制定本标准

发布历史

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研制信息

起草单位：
东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院微电子研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院
起草人：
孙国胜、杨霏、柏松、许恒宇、李诚瞻、高玉强、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

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