适用范围：范围:本文件描述了基于太赫兹时域光谱技术检测隔热涂层厚度的方法，适用于对已知折射率隔热涂层厚度的检测。其他非金属、非极性材料类涂层检测可参照使用; 主要技术内容:1  范围2  规范性引用文件3  术语和定义4  系统逻辑框架4.1  语音+分体式链路4.2  多模态+端到端5  核心技术要求5.1  基本要求5.2  高端要求6  输入输出准则6.1  输入准则6.2  输出准则7  测试方法7.1  测试用例准备7.2  测试方法7.3  测试报告

适用范围：范围:本文件描述了基于太赫兹时域光谱技术检测隔热瓦粘接缺陷的方法，适用于隔热瓦粘接缺陷的检测。其他非金属、非极性粘接类材料体系粘接缺陷检测可参照使用; 主要技术内容:1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 原理5 试验条件6 仪器设备7 样品8 检测程序与方法8.1 检测前准备8.2预检测8.3检测9 检测数据的处理10 检测结果的分析与评定10.1脱粘缺陷面积分析与评定依据10.2 夹杂缺陷面积分析与评定依据10.3 胶层厚度均匀性分析与评定依据10.4 检测报告附录A（资料性) 基于太赫兹时域光谱技术的隔热瓦粘接缺陷检测原始记录格式A.1检测原始记录封面格式A.2原始记录内页格式

适用范围：范围:本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。 本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化硅单晶衬底中基平面弯曲的表征; 主要技术内容:碳化硅（SiC）具有高临界击穿场强、高的热导率、高电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率器件。使用碳化硅作为衬底生长器件结构时，衬底质量对外延层的质量起决定性作用。大尺寸碳化硅单晶常常呈现基平面的摇摆曲线衍射峰位随着单晶直径衍射位置的改变而变化的现象，这种衍射峰位的移动源于基平面弯曲。由于基平面弯曲的存在，导致同质外延或异质外延层边缘位置的c轴偏离中心位置的c轴，影响后续器件制备工艺的均匀性与可靠性。只有掌握了碳化硅单晶衬底基平面弯曲的特性，才能够深入了解基平面弯曲产生的原因，提供单晶生长条件优化的方向，进而提升单晶质量。因此有必要发展一种能够准确、全面的表征碳化硅单晶基平面弯曲特性的方法。目前我国以X射线衍射法表征碳化硅单晶片的晶面弯曲特性的标准属于空白领域，因此特制定本标准

适用范围：范围:本标准规定了高纯金杂质元素的测定方法，测定元素见表1。 本标准适用于高纯金中杂质元素含量的测定，各元素质量分数测定范围为0.1 μg/kg～20000 μg/kg; 主要技术内容:试料作为阴极进行辉光放电，其表面原子被溅射而脱离试样进入辉光放电等离子体中，在等离子体中离子化后被导入质谱仪。在每一元素同位素质量数处以预设的扫描点数和积分时间对相应谱峰积分，所得面积即为谱峰强度。进行半定量分析时，计算机根据仪器软件中的“典型相对灵敏度因子”自动计算出各元素的质量含量；进行定量分析时，需通过在与被测样品相同的分析条件、离子源结构以及测试条件下对标准样品进行独立测定获得相对灵敏度因子，应用该相对灵敏度因子计算出各元素的质量含量，金的质量分数以杂质减量法确定