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  • SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 现行
    SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
    译:SJ/T 9014.8.2-2018 Semiconductor Devices, Discrete Devices Part 8-2: Ultra Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Blank Specification Manual
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2018-04-30 | 实施时间: 2018-07-01
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  • SJ/T 11056-1996 电子元器件详细规范 4CS1191型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用) 废止
    SJ/T 11056-1996 电子元器件详细规范 4CS1191型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)
    译:SJ/T 11056-1996 Detail specification for electronic components--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor,Type 4CS1191 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
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  • SJ/T 11057-1996 电子元器件详细规范 4CS142型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用) 废止
    SJ/T 11057-1996 电子元器件详细规范 4CS142型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)
    译:SJ/T 11057-1996 Detail specification for electronic components--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor,Type 4CS142 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
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  • SJ/T 10957-1996 电子元器件详细规范 4CS103型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用) 废止
    SJ/T 10957-1996 电子元器件详细规范 4CS103型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)
    译:SJ/T 10957-1996 Detail specification for electronic components--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor,Type 4CS103 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
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  • SJ/T 11055-1996 电子元器件详细规范 4CS119型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用) 废止
    SJ/T 11055-1996 电子元器件详细规范 4CS119型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)
    译:SJ/T 11055-1996 Detail specification for electronic components--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor,Type 4CS119 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
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  • SJ/T 11058-1996 电子元器件详细规范 4CS1421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用) 废止
    SJ/T 11058-1996 电子元器件详细规范 4CS1421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)
    译:SJ/T 11058-1996 Detail specification for electronic components--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor,Type 4CS1421 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
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  • SJ/T 10956-1996 电子元器件详细规范 4CS122型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用) 废止
    SJ/T 10956-1996 电子元器件详细规范 4CS122型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)
    译:SJ/T 10956-1996 Detail specification for electronic components--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor,Type 4CS122 (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
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  • SJ/T 11059-1996 电子元器件详细规范 CS4220A型单栅N沟结型场效应晶体管(可供认证用) 废止
    SJ/T 11059-1996 电子元器件详细规范 CS4220A型单栅N沟结型场效应晶体管(可供认证用)
    译:SJ/T 11059-1996 Detail specification for electronic components--N-channel single-gate junction type field-effect transistor,Type CS422OA (Applicable for certification)
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1996-11-20 | 实施时间: 1997-01-01
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  • GB/T 16468-1996 静电感应晶体管系列型谱 现行
    GB/T 16468-1996 静电感应晶体管系列型谱
    译:GB/T 16468-1996 Series programmes for static induction transistors
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-07-09 | 实施时间: 1997-01-01
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  • GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管 空白详细规范 废止
    GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管 空白详细规范
    译:GB/T 15450-1995 Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-01-05 | 实施时间: 1995-08-01
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  • GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范 现行
    GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范
    译:GB/T 15449-1995 Blank detail-specification for field-effect transistors for case-rated swatching application
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-01-05 | 实施时间: 1995-08-01
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  • SJ 20184-1992 半导体分立器件 CS3821、3822、3823型场效应晶体管详细规范 现行
    SJ 20184-1992 半导体分立器件 CS3821、3822、3823型场效应晶体管详细规范
    译:SJ 20184-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for field-effect transistor of Types CS3821,3822,3823
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-11-19 | 实施时间: 1993-05-01
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  • SJ 20014-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3CG110型PNP硅小功率晶体管详细规范 现行
    SJ 20014-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3CG110型PNP硅小功率晶体管详细规范
    译:SJ 20014-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for PNP silicon low-power transistor for Type 3CG110 GP,GT and GCT classes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-02-01 | 实施时间: 1992-05-01
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  • SJ 20011-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 现行
    SJ 20011-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
    译:SJ 20011-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-02-01 | 实施时间: 1992-05-01
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  • SJ 20016-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范 现行
    SJ 20016-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
    译:SJ 20016-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-02-01 | 实施时间: 1992-05-01
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  • SJ 20012-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 现行
    SJ 20012-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
    译:SJ 20012-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS4 GP,GT and GCT classes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-02-01 | 实施时间: 1992-05-01
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  • SJ 20015-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3DG130型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 现行
    SJ 20015-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3DG130型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
    译:SJ 20015-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon high-frequency low-power transistor for type 3DG130 GP,GT and GCT classes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-02-01 | 实施时间: 1992-05-01
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  • SJ 20013-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 现行
    SJ 20013-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
    译:SJ 20013-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS10 GP,GT and GCT classes
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-02-01 | 实施时间: 1992-05-01
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