适用范围：主要技术内容:表面声波滤波器芯片器件模组结构封装工艺与测试的封装材料、封装设备、封装工艺流程、封装质量和测试

适用范围：主要技术内容:SiC半导体材料以其独特的优异性能，特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件，如SiC PiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。从结构上看，n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似，所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底，为了制造n沟道IGBT器件材料，需要使用反转型n沟道IGBT器件结构，制造工艺复杂。与n沟道IGBT相比，p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单，而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底，即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料，正是该p+型漂移层，使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能

适用范围：主要技术内容:本文件规定了射频识别应答器天线的基本要求、 技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、质量承诺。本文件适用于由铝箔蚀刻所得、 应用于射频识别应答器的天线

适用范围：主要技术内容:本文件规定了燃气具点火电极的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了无铅压电陶瓷电声元件的技术要求与试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存等基本规则。本文件适用于铅含量不超过0.1 %（质量分数）的元件的设计、制造和验收

适用范围：范围:本文件适用于整车厂、零部件供应商、软件供应商、第三方测评机构等企业，开展汽车用射频前端芯片的研发测试和应用等; 主要技术内容:本文件规定汽车用射频前端芯片的可靠性要求、制式功能要求、技术要求和试验方法。本文件适用于整车厂、零部件供应商、软件供应商、第三方测评机构等企业，开展汽车用射频前端芯片的研发测试和应用等

适用范围：主要技术内容:本文件规定了WD系列锁扣式矩形连接器的技术要求、试验方法和交付准备等。本文件适用于WD系列锁扣式矩形连接器的设计、制造和验收

适用范围：主要技术内容:本文件规定了微波炉用高压电容器（以下简称电容器）的术语和定义、基本要求、使用条件、技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输、贮存和质量承诺。本文件适用于在额定交流电压1800V至3000V范围内，叠加的直流电压的值为0.82倍交流额定电压下工作，额定最高温度不大于100℃，具有金属外壳，采用纸和（或）塑料膜作介质、金属箔作电极、浸渍合适油的非自愈式微波炉电容器

适用范围：主要技术内容:本文件规定了工业级高可靠DC/DC变换器的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于工业级高可靠DC/DC变换器的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：范围:本文件规定了光伏逆变器RSD（快速关断）系统的一般要求、功能要求、试验方法、系统维护、异常事故和处理措施、注意事项等内容。 本文件适用于光伏逆变器RSD（快速关断）系统; 主要技术内容:本文件规定了光伏逆变器RSD（快速关断）系统的一般要求、功能要求、试验方法、系统维护、异常事故和处理措施、注意事项等内容。本文件适用于光伏逆变器RSD（快速关断）系统