适用范围：范围:本文件规定了UVC-LED杀菌芯片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。 本文件适用于倒装结构的UVC-LED杀菌芯片的生产和检验; 主要技术内容:4 技术要求4.1 外观质量4.2 结构和材质4.3 外形尺寸4.4 光电特性4.5 光电参数的范围要求4.6 绝对最大额定值4.7 环境适应性5 试验方法5.1 试验条件5.2 外观质量5.3 外形尺寸5.4 光电特性5.5 环境适应性6 检验规则6.1 检验分类6.2 组批6.3 重新提交6.4 筛选6.5 鉴定检验6.6 质量一致性检验6.7 样品的处理6.8 不合格判定7 标志、包装、运输、贮存7.1 标志7.2 包装7.3 运输7.4 贮存

适用范围：范围:本文件适用于耳温枪温度传感器; 主要技术内容:本文件规定了耳温枪温度传感器的术语和定义、工作环境、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：本文件描述了逆导型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件(以下简称器件)的稳态热阻和瞬态热阻的电学法测试的基本原理和方法。 本文件适用于逆导型IGBT器件的热阻测试。

适用范围：本文件确立了使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验的方法与程序。 本文件适用于航空、地面等应用环境中半导体集成电路和半导体分立器件的中子单粒子效应敏感性检测试验。该环境下的中子来源于初始高能宇宙射线与大气的相互作用，主要为热中子和能量高于1 MeV的高能中子。 本文件适用的单粒子效应包括大气中子在半导体器件中引起的单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子功能中断、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅穿等。 本文件不适用于α粒子引起的单粒子效应。

适用范围：本文件确立了对电子元器件进行失效机理、模式及其影响分析（FMMEA）的通用方法和程序。 本文件适用于电子元器件的风险等级分析。

适用范围：本文件确立了基于失效物理的电子元器件故障树建树方法及故障树分析程序。描述了以故障树为载体的电子元器件故障信息库构建方法。 本文件适用于电子元器件在设计、研制、生产和使用阶段进行故障树建造和失效路径分析，以及电子元器件在设计和应用阶段的潜在失效问题识别，其结果可用于电子元器件的质量归零问题分析、可靠性设计分析和应用风险分析。 本文件方法适用于半导体分立器件、半导体集成电路、混合集成电路、机电元件、印制电路板等电子元器件。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了车规级半导体功率模块的测试认证要求。本文件适用于汽车应用的硅基和碳化硅基功率模块的测试认证

适用范围：范围:本文件规定了压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验的试验电路、设备要求、试验条件、试验步骤、接收判据等要求。 本文件适用于电网电力电子装置用压接型IGBT模块，其他新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此文件; 主要技术内容:本标准适用于电网用电力电子装置用的压接型IGBT模块，其它新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此标准。本标准介绍了压接型IGBT模块高温反偏试验的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、设备要求、试验流程、冷却、测试以及失效标准等技术内容。本标准考虑到了压接型IGBT模块的特殊性，对检测方法和设备要求进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决常规测试耗时较长、测试成本高，检测效率低等问题，对压接型IGBT模块的广泛应用提供了基础保障。主要内容如下：前言1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 符号和缩略语5 试验电路6 设备要求7 试验条件8 试验步骤9 失效判据10 试验时间认定11 试验报告

适用范围：范围:本文件规定了柔性直流输电用IGBT模块应用可靠性的试验项目、试验条件以及试验方法等技术要求。 本文件适用于柔性直流换流阀和高压直流断路器用压接型与焊接型IGBT模块的生产、检验、交付使用; 主要技术内容:本标准适用于柔性直流输电用IGBT模块，其它新型IGBT器件如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等器件也可参照此标准。本标准介绍了柔性直流输电用IGBT模块应用可靠性试验规范的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、试验项目、试验、接收判据等技术内容。本标准考虑了柔性直流输电用IGBT模块工况的特殊性，对试验条件与程序进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决IGBT模块通过实际运行检验性能的周期长、风险大、成本高等问题，为柔性直流输电用IGBT模块的应用可靠性试验提供了技术指导。主要内容如下：前言1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 符号和缩略语5 试验项目6 试验6.1 长时间双脉冲试验6.2 重复安全工作区试验6.3 二极管多周波浪涌电流试验6.4 IGBT饱和区浪涌电流试验7 接收判据

适用范围：范围:本文件规定了电动汽车用功率半导体器件可靠性试验前的功能性检查要求，可靠性试验要求和试验 方法。本文件还规定了车用宽禁带功率半导体器件的特殊试验要求。 本文件适用于非绝缘型功率半导体器件和绝缘型功率半导体模块，包括但不限于绝缘栅双极晶体 管、金属氧化物场效应晶体管和二极管器件及模块。 本文件提供了对电动汽车用功率半导体器件进行可靠性型式试验及可靠性设计与检验的指南; 主要技术内容:本文件规定了电动汽车用功率半导体器件可靠性试验前的功能性检查要求，可靠性试验要求和试验 方法。本文件还规定了车用宽禁带功率半导体器件的特殊试验要求。 本文件适用于非绝缘型功率半导体器件和绝缘型功率半导体模块，包括但不限于绝缘栅双极晶体 管、金属氧化物场效应晶体管和二极管器件及模块。 本文件提供了对电动汽车用功率半导体器件进行可靠性型式试验及可靠性设计与检验的指南

适用范围：主要技术内容:本标准规定了二极管扩散片的术语和定义、产品分类及型号和研发程序等内容。本标准适用于二极管扩散片产品的设计、开发及生产

适用范围：主要技术内容:本标准规定了二极管扩散片常规电性的相关术语和定义，规定了成品二极管的前段流程即扩散片流程的常规参数执行标准。本标准适用于二极管扩散厂家，包含了常规电性：反向击穿电压、正向导通压降、反向恢复时间、反向漏电流、扩散片芯片厚度

适用范围：主要技术内容:随着电动汽车行业的迅猛发展，对驱动系统的小型化和轻量化提出了更高的要求。基于SiC的解决方案使电动汽车驱动系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑，近几年已经逐渐在电动汽车行业得到应用。然而，目前国内外尚无针对SiC功率模块的规范和标准，缺少电动汽车行业SiC MOSFET模块的统一指导性文件，影响了SiC MOSFET模块在电动汽车行业的通用化。本规范针对电动汽车用的SiC MOSFET模块，从性能参数、评测程序等方面对SiC MOSFET模块进行了规范，可以用于电动汽车行业对SiC MOSFET模块的初步评价

适用范围：主要技术内容:本标准规定了金属氧化物半导体气体传感器（以下简称“气体传感器”）的术语、符号及定义、型号、分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志及贮存。本标准适用于基于电阻式金属氧化物半导体原理的气体传感器

适用范围：主要技术内容:碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体之一，具有比硅更高的击穿场强、更快的饱和速度和电子漂移速度、更宽的禁带宽度和更高的热导率等特性，可制作性能更加优异的高效、高温、高频、大功率、抗辐射功率器件。不仅能够在直流、交流输电，不间断电源，开关电源，工业控制等传统工业领域广泛应用，而且在太阳能、风能、电动汽车航空航天等领域也具有广阔的应用前景。随着SiC 肖特基势垒二极管的技术发展、市场逐步开启，Si二极管的标准在某些方面的规定既不能体现SiC二极管优越的特性，也限制了SiC二极管在某些突出特性方面的发展，制定《碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范》，以支撑产品的设计、生产、测量、验收等工作

适用范围：本文件描述了单色Micro-LED芯片的光电性能测试方法。 本文件适用于发光台面(mesa)的长边边长（或直径）在1 μm～50 μm范围内的单色Micro-LED芯片的光电性能测试评估。

适用范围：本文件描述了低功率（nW～μW）微型发光二极管（以下简称Micro-LED）的外量子效率（EQE）测量方法，包括：Micro-LED芯片的点测和LED封装的测试。