19 试验
65 农业
77 冶金
  • SJ/T 1477-2016 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 1477-2016
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法 现行
    译:SJ/T 11586-2016 The method for testing the total radiation exposure of semiconductor devices to 10KeV low-energy X-rays
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-01-15 | 实施时间: 2016-06-01
  • SJ/T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法 现行
    译:SJ/T 2749-2016 SJ/T 2749-2016 Semiconductor laser diode test method
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-01-15 | 实施时间: 2016-06-01
  • SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容 现行
    译:SJ/T 2658.4-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods - Part 4: Total Capacitance
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则 现行
    译:SJ/T 2658.1-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods - Part 1: General Rules
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分:调制带宽 现行
    译:SJ/T 2658.10-2015 SJ/T 2658.10-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 10: Modulation Bandwidth
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角 现行
    译:SJ/T 2658.9-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 9: Spatial Distribution of Radiation Intensity and Half-Power Beam Angle
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率 现行
    译:SJ/T 2658.6-2015 Semiconductor Infrared Emitter Diode Measurement Methods - Part 6: Radiated Power
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻 现行
    译:SJ/T 2658.5-2015 SJ/T 2658.5-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 5: Series Resistance
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流 现行
    译:SJ/T 2658.3-2015 SJ/T 2658.3-2015 Semiconductor infrared emitting diode measurement methods Part 3: Reverse voltage and reverse current
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽 现行
    译:SJ/T 2658.12-2015 SJ/T 2658.12-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 12: Peak Emission Wavelength and Spectral Radiation Bandwidth
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数 现行
    译:SJ/T 2658.13-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 13: Radiated Power Temperature Coefficient
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量 现行
    译:SJ/T 2658.7-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 7: Radiant Flux
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度 现行
    译:SJ/T 2658.8-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 8: Radiant Intensity
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间 现行
    译:SJ/T 2658.11-2015 Measurement methods for semiconductor infrared emitting diodes - Part 11: Response time
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压 现行
    译:SJ/T 2658.2-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 2: Forward Voltage。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 现行
    译:SJ/T 2214-2015 Testing methods for semiconductor photo-diodes and photo-transistors
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L54半导体光敏器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11486-2015 小功率LED芯片技术规范 现行
    译:SJ/T 11486-2015 SJ/T 11486-2015 Small Power LED Chip Technical Specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法 现行
    译:SJ/T 2215-2015 Semiconductor photoelectric coupler testing method
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L50/54光电子器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 2216-2015 硅光电二极管技术规范 现行
    译:SJ/T 2216-2015 Silicon photodiode technology specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L54半导体光敏器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01