19 试验
65 农业
77 冶金
  • SJ/T 11845.2-2022 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第2部分:光电耦合器件 现行
    译:SJ/T 11845.2-2022 Electronic Component Reliability Evaluation Method Based on Low-frequency Noise Parameters - Part 2: Optoelectronic Coupling Devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L50/54光电子器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11767-2020 二极管低频噪声参数测试方法 现行
    译:SJ/T 11767-2020 SJ/T 11767-2020 Diode Low Frequency Noise Parameter Test Method
    适用范围:适用于二极管1 Hz~300 kHz 频率范围内的噪声参数的测试
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01
  • SJ/T 11766-2020 光电耦合器件低频噪声参数测试方法 现行
    译:SJ/T 11766-2020 SJ/T 11766-2020 Optical coupler low frequency noise parameter testing method
    适用范围:适用于光电耦合器件1 Hz~300 kHz 频率范围内噪声参数的测试
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L50/54光电子器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01
  • SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法 现行
    译:SJ/T 11586-2016 The method for testing the total radiation exposure of semiconductor devices to 10KeV low-energy X-rays
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-01-15 | 实施时间: 2016-06-01
  • SJ/T 10053-1991 3DD313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管 现行
    译:SJ/T 10053-1991 Detail specification for electronic components--Silicon NPN case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3DD313
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1991-04-08 | 实施时间: 1991-07-01
  • SJ/T 10052-1991 3CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管 现行
    译:SJ/T 10052-1991 Detail specification for electronic components--Silicon PNP case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3CD507
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1991-04-08 | 实施时间: 1991-07-01