T/CIE 134-2022 磁随机存储芯片数据保持时间测试方法

T/CIE 134-2022 Magnetic random access memory (MRAM) chip data retention time testing method

团体标准 中文简体 现行 页数:12页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
T/CIE 134-2022
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2022-08-10
实施日期
2022-08-10
发布单位/组织
中国电子学会
归口单位
中国电子学会
适用范围
本文件规定了磁随机存储芯片数据保持时间测试方法的测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。本文件适用于磁随机存储芯片的数据保持时间测试和磁随机存储芯片的数据保持时间验证。

发布历史

文前页预览

研制信息

起草单位:
北京航空航天大学、致真存储(北京)科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、上海佑磁信息科技有限公司、北京时代民芯科技有限公司、深圳亘存科技有限责任公司、合肥致真精密设备有限公司
起草人:
赵巍胜、彭守仲、李伟祥、芦家琪、李月婷、雷娜、曹凯华、王昭昊、聂天晓、张博宇、刘佳豪、刘照春、王戈飞、刘宏喜、赵桂林、帅喆、孙杰杰、王超、卢辉、王亮、郑宏超、陆时进、李鑫云、曹安妮、郭玮、何帆、程厚义、杜寅昌
出版信息:
页数:12页 | 字数:20 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS31200

CCSL.56

团体标准

T/CIE134—2022

磁随机存储芯片数据保持时间测试方法

Testmethodsfordataretentiontimeofmagneticrandom-accessmemorychips

2022-08-10发布2022-08-10实施

中国电子学会发布

中国标准出版社出版

T/CIE134—2022

目次

前言

…………………………Ⅰ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

测试设备及条件

4…………………………2

测试设备和装置

4.1……………………2

测试条件

4.2……………2

测试方法

5…………………2

通则

5.1…………………2

磁随机存储芯片的数据保持时间测试

5.2……………3

测试原理

5.2.1………………………3

测试方法

5.2.2………………………4

测试记录

5.2.3………………………5

参考文献

………………………6

T/CIE134—2022

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中国电子学会提出并归口

本文件起草单位北京航空航天大学致真存储北京科技有限公司中国电子科技集团公司第五

:、()、

十八研究所上海佑磁信息科技有限公司北京时代民芯科技有限公司深圳亘存科技有限责任公司合

、、、、

肥致真精密设备有限公司

本文件主要起草人赵巍胜彭守仲李伟祥芦家琪李月婷雷娜曹凯华王昭昊聂天晓

:、、、、、、、、、

张博宇刘佳豪刘照春王戈飞刘宏喜赵桂林帅喆孙杰杰王超卢辉王亮郑宏超陆时进

、、、、、、、、、、、、、

李鑫云曹安妮郭玮何帆程厚义杜寅昌

、、、、、。

T/CIE134—2022

磁随机存储芯片数据保持时间测试方法

1范围

本文件规定了磁随机存储芯片数据保持时间测试方法的测试原理测试环境测试设备测试程

、、、

序等

本文件适用于磁随机存储芯片的数据保持时间测试和磁随机存储芯片的数据保持时间验证

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

31

.

磁随机存储器magneticrandom-accessmemoryMRAM

;

利用磁性层的磁矩作为信息存储的载体利用隧穿磁阻效应作为信息读取方法具有非易失性近

,,、

乎无限次擦写和快速写入等优点的随机存储器

32

.

数据保持时间dataretentiontime

磁隧道结或者磁随机存储芯片不进行读写的情况下在允许错误范围内能够保持数据稳定存储的

,

最长时间

注数据保持时间决定了磁随机存储芯片的可靠性数据保持的定义见中的相关规定

:。GB/T35003—20183.2。

33

.

热稳定性thermalstability

磁随机存储芯片的耐热性磁随机存储芯片在温度影响下的稳定性

,。

34

.

热稳定因子thermalstabilityfactor

Δ

表示热波动下自由层磁化方向随机发生翻转的倾向用能量势垒E和操作温度T与玻尔兹曼常

。b

数k的乘积的比值来计算热稳定因子越大相同操作温度下存储中数据储存时间越长

B。,。

35

.

垂直磁各向异性perpendicularmagneticanisotropyPMA

;

薄膜的自发磁化方向沿着垂直于薄膜平面方向的现象

36

.

面内磁各向异性in-planemagneticanisotropyIMA

;

薄膜的自发磁化方向沿着平行于薄膜平面方向的现象

37

.

磁各向异性场magneticanisotropyfield

HK

当磁矩方向偏离易磁化轴方向时受到的可使磁矩恢复到易磁化轴方向的等效磁场

1

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