GB/T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范

GB/T 35009-2018 Specification for serial NAND flash interface

国家标准中文简体现行页数：28页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 35009-2018

标准类型

国家标准

标准状态

现行

中国标准分类号（CCS）

L56 半导体集成电路

国际标准分类号（ICS）

31.200 集成电路、微电子学

发布日期

2018-03-15

实施日期

2018-08-01

发布单位/组织

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

归口单位

全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

适用范围

本标准规定了串行与非（NAND）型快闪存储器（以下称为器件）的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。

发布历史

2018年03月

GB/T 35009-2018　串行NAND型快闪存储器接口规范

当前标准现行 2018-03-15

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研制信息

起草单位：: 北京兆易创新科技股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、深圳市中兴微电子技术有限公司、中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所、清华大学微电子学研究所、安凯(广州)微电子技术有限公司

起草人：: 苏志强、刘超、刘会娟、高硕、罗晓羽、武鹏、林建京、吴华强、邹天翔

出版信息：: 页数：28页 | 字数：54 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS31.200

L56

中华人民共和国国家标准

/—

GBT350092018

串行NAND型快闪存储器接口规范

SecificationforserialNANDflashinterface

2018-03-15发布2018-08-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT350092018

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4物理接口…………………1

4.1引出端功能定义……………………1

4.2数据接口类型………………………2

5存储阵列架构……………3

5.1存储架构……………3

5.2状态寄存器…………………………4

5.3器件保护功能………………………5

5.4器件自毁功能………………………6

6指令定义…………………7

6.1指令集说明…………………………7

定制服务

关联标准

引用标准

GB/T 17574-1998

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路

现行

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