GB/T 35033-2018 30 MHz~1 GHz电磁屏蔽材料导电性能和金属材料搭接阻抗测量方法
GB/T 35033-2018 Measurement method on conductive properties of electromagnetic shielding material and bonding impedance of metal material for 30 MHz to 1 GHz
基本信息
发布历史
-
2018年05月
研制信息
- 起草单位:
- 上海电器科学研究院、华为技术有限公司、上海添唯认证技术有限公司、上海市计量测试技术研究院
- 起草人:
- 袁书传、王庆海、郑军奇、陈灏、陈超婵、刘媛、邢琳、许帅
- 出版信息:
- 页数:25页 | 字数:46 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS33.100
L06
国
中华人民共和国国家标准
GB/T35033-2018
30MHz~1GHz电磁屏蔽材料导电性能
和金属材料搭接阻抗测量方法
Measurementmethodonconductivepropertiesofelectromagneticshielding
materialandbondingimpedanceofmetalmaterialfor30MHzto1GHz
2018-12-01实施
2018-05-14发布
国家市场监督管理总局峪非
中国国家标准化管理委员会0(..'I(J
GB/T35033-2018
目次
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GB/T35033-2018
8.3测试系统有效性的确认
测试系统的有效性应通过对规定阻值(D,)的测试电路进行一系列的测量来加以确认,如罔7所示。
测试A的测量结果可以表明:当端接50D,阻扰(测量接收机提供的阻抗)时,射频信号发生器输阳
电压是再等于开路电压的一半。
测试B的测量结果可以表明:射频信号发生器具有向低阻抗DUT是再能够提供足够输州电流的
能力。
测试C的测量结果可以表明:测量接收机是再具有足够的动态范围。
对于t述的每一项测试,测量结果均应在表1规定的允差范围内。
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说明-
G-一信号发生器;
R-一接收机。
注:G和R可向欠茧网络分析仪代替。
图7验证测试系统有效性的测试电路框图
表1测试系统的有效性确认的条件和要求值
RV2
测试VdVo
v
。
A直通0.5×v,-6dB+0.5dB
BR1=0.lO0.002×\iO-54dB+ldB
cR2=100kO0.0005×Vo-66dB±ldB
R1和凡的允差:士1%
8
GB/T35033-2018
测试系统应在确认结果满足表l要求的频率范围内使用,此时,V。是佑’号发生器G的电动势
[e.m.f,单位为伏特CV)]厅2是测量接收机的终端电压。R1和凡的值可能会随着频率和DUT的不
同而变化。
9测量方法
9.1测试布置
测试布置示意罔见罔80
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图8测试布置示意图
9.2电磁屏蔽材料导电性能的测量方法
电磁屏蔽材料导电性能测量步骤包括:
a)将矢量网络分析仪的两条同轴的其中一条的一端连接至测量装置的信号注入端,另外一端连
接至端口1(见罔8);
b)将矢量网络分析仪上两条同轴的另一条的一端连接至测量装置的信号测量端,另外一端连接
至端口2(见罔8);
c)将电磁屏蔽材料样品放在上金属片和下金属片之间(见罔4);
d)注入探针从下金属片中心孔伸向来,形成注入回路;
e)将上屏蔽腔体和下屏蔽腔体|司定;
f)将测量装置压力调为零,并记下此时测试装置上的位移刻度值,此刻度值时代表压缩位移量
为零;
g)调整电磁屏蔽材料的压缩位移量,并保存521rtt1线读值;
h)根据附录A给出的Z,的计算公式,计算得仲lZ,1。
电磁屏蔽材料导电性能测量示例参见附录C中C.L
9.3金属材料的搭接阻抗的测量方法
金属材料的搭接阻抗的测量过程包括:
a)将矢量网络分析仪的两条同轴的其中一条的一端连接至测量装置的信号注入端,另外一端连
接至端口1(见罔8);
b)将矢量网络分析仪上两条同轴的另一条的一端连接至测量装置的信号测量端,另外一端连接
至端口2(见罔8);
c)金属材料样品,应替换罔4中的上金属片和下金属片;
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GB/T35033-2018
d)注入探专|从下金属片中心孔伸归来,形成注入回路;
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