GB/T 36359-2018 半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范

GB/T 36359-2018 Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for lower power light-emitting diodes

国家标准中文简体现行页数：13页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 36359-2018

发布历史

2018年06月

GB/T 36359-2018　半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范

当前标准现行 2018-06-07

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研制信息

起草单位：: 中国电子科技集团公司第十三研究所、国家半导体器件质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院

起草人：: 张瑞霞、赵敏、黄杰、彭浩、赵英、刘秀娟、张晨朝、刘东月

出版信息：: 页数：13页 | 字数：24 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS31.260

L53

中华人民共和国国家标准

/—

GBT363592018

半导体光电子器件

小功率发光二极管空白详细规范

—

Semiconductorotoelectronicdevices

Blankdetailsecificationforlowerowerliht-emittindiodes

ppgg

2018-06-07发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT363592018

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

()。

本标准由中华人民共和国工业和信息化部电子归口

:、、

本标准起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所国家半导体器件质量监督检验中心中国

电子技术标准化研究院。

:、、、、、、、。

本标准主要起草人张瑞霞赵敏黄杰彭浩赵英刘秀娟张晨朝刘东月

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