GB/T 36474-2018 半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法

GB/T 36474-2018 Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)

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基本信息

标准号

GB/T 36474-2018

发布历史

2018年06月

GB/T 36474-2018　半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法

当前标准现行 2018-06-07

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研制信息

起草单位：: 中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司

起草人：: 孔宪伟、殷梦迪、尹萍、巨鹏锦、高专、刘建明

出版信息：: 页数：15页 | 字数：26 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS31.200

L56

中华人民共和国国家标准

/—

GBT364742018

半导体集成电路

第三代双倍数据速率同步动态随机

存储器()测试方法

DDR3SDRAM

—

Semiconductorinteratedcircuit

Measurinmethodsfordoubledatarate3snchronousdnamicrandomaccess

gyy

()

memorDDR3SDRAM

2018-06-07发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT364742018

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4一般要求…………………2

4.1通则…………………2

4.2功能验证的一般要求………………2

4.3电参数测试的测试向量………………

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