1. 当前位置：
  2. 首页 >
  3. 国家级标准 >
  4. GB/T 36474-2018

GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法

GB/T 36474-2018 Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)

国家标准 中文简体 现行 页数：15页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 36474-2018
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L56 半导体集成电路
国际标准分类号（ICS）
31.200 集成电路、微电子学
发布日期
2018-06-07
实施日期
2019-01-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。
本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。

发布历史

文前页预览

GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法-第1页
GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法-第2页
GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法-第3页
GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法-第4页

研制信息

起草单位：
中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司
起草人：
孔宪伟、殷梦迪、尹萍、巨鹏锦、高专、刘建明
出版信息：
页数：15页 | 字数：26 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS31.200

L56

中华人民共和国国家标准

/—

GBT364742018

半导体集成电路

第三代双倍数据速率同步动态随机

存储器()测试方法

DDR3SDRAM

—

Semiconductorinteratedcircuit

g

Measurinmethodsfordoubledatarate3snchronousdnamicrandomaccess

gyy

()

memorDDR3SDRAM

y

2018-06-07发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT364742018

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4一般要求…………………2

4.1通则…………………2

4.2功能验证的一般要求………………2

4.3电参数测试的测试向量………………

定制服务

    推荐标准

    关联标准

    引用标准
    GB/T 17574-1998
    GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
    现行

    相似标准推荐

    更多>