GB/T 11071-2018 区熔锗锭
GB/T 11071-2018 Zone-refined germanium ingot
基本信息
本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料，经区熔提纯工艺制备得到的区熔锗锭。ZGe-0区熔锗锭主要用于制备半导体及高纯锗探测器用的高纯锗单晶；ZGe-1区熔锗锭主要用于制备红外光学和太阳能电池用的锗单晶及各类锗-铬、锗-硅合金等。
发布历史
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1989年03月
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2006年07月
-
2018年12月
研制信息
- 起草单位：
- 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、有研光电新材料有限责任公司、中锗科技有限公司、衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司、广东先导稀材股份有限公司、锡林郭勒通力锗业有限责任公司、云南东昌金属加工有限公司
- 起草人：
- 包文东、普世坤、李贺成、冯德伸、惠峰、范德胜、朱知国、李正美、董汝昆、朱刘、尹士平、王晓华
- 出版信息：
- 页数：7页 | 字数：12 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.150
H66
国
中华人民共和国国家标准
G!J/T11071-2018
代替GB/Tll0712006
区
熔链
错
Zone-refinedgermaniumingot
2018-12-28发布2019-07-01实施
国家市场监督管理总局峪非
中国国家标准化管理委员会0(..'I(J
GB/T11071-2018
目lj昌
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T11071-2006《区熔错健儿与GB/T11071-2006相比，除编辑性修改外主要技
术变化如下：
范围进一步明确为“本标准适用于以还原错链及错单晶返料为原料，经区熔提纯工艺制备得到
的区熔错链。ZGe-0区熔错键主要用于制备半导体及高纯错探测器用的高纯错单晶；ZGe-1
区熔错链主要用于制备红外光学用的错单晶、太阳能电池用的错单晶及各类锚，锚、错－硅合金
等”（见第1章）。
一一增加了区熔错键在（23土0.5）℃下电阻率的要求（见3.2）。
“同一根错链的最大与最小截面面积之差不大于平均截丽而积的15%”修改为“同一根区熔错
链的头尾两端的高度差不大于4mm”（见3.3,2006年版的3.3）。
一一“链长100mm~500mm”修订为“长度应不小于100mm”（见3.3,2006年版的3.3）。
一一增加｜了区熔错链的表面应无孔洞的要求（见3.4,2006版的3.4）。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）归口。
本标准起草单位：云南l临沧鑫困错业股份有限公司、有研光电新材料有限责任公司、中错科技有限
公司、衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司、广东先导稀材股份有限公司、锡林郭勒通力错业有限责任公
司、云南东昌金属加工有限公司。
本标准主要起草人：包文东、普世坤、李贺戚、冯德伸、惠峰、范德胜、朱知国、李正美、董汝昆、朱刘、
尹士平、王晓华。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
GB/T110711989、GB/T110712006。
I
GB/T11071-2018
区熔错徒
1范围
本标准规定了区熔错链的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单
（或合同）内容。
本标准适用于以还尿错键及错单晶返料为原料，经区熔提纯工艺制备得到的区熔错链。ZGe-0区
熔错链主要用于制备半导体及高纯错探测器用的高纯错单晶；ZGc-1区熔错键主要用于制备红外光学
和太阳能电池用的错单晶及各类锚’锚、锚，硅合金等。
2规范性引用文件
定制服务
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