GB/T 11071-2018 区熔锗锭

ICS77.150

H66

国

中华人民共和国国家标准

G!J/T11071-2018

代替GB/Tll0712006

区

熔链

错

Zone-refinedgermaniumingot

2018-12-28发布2019-07-01实施

国家市场监督管理总局峪非

中国国家标准化管理委员会0(..'I(J

GB/T11071-2018

目lj昌

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T11071-2006《区熔错健儿与GB/T11071-2006相比，除编辑性修改外主要技

术变化如下：

范围进一步明确为“本标准适用于以还原错链及错单晶返料为原料，经区熔提纯工艺制备得到

的区熔错链。ZGe-0区熔错键主要用于制备半导体及高纯错探测器用的高纯错单晶；ZGe-1

区熔错链主要用于制备红外光学用的错单晶、太阳能电池用的错单晶及各类锚，锚、错－硅合金

等”（见第1章）。

一一增加了区熔错键在（23土0.5）℃下电阻率的要求（见3.2）。

“同一根错链的最大与最小截面面积之差不大于平均截丽而积的15%”修改为“同一根区熔错

链的头尾两端的高度差不大于4mm”（见3.3,2006年版的3.3）。

一一“链长100mm~500mm”修订为“长度应不小于100mm”（见3.3,2006年版的3.3）。

一一增加｜了区熔错链的表面应无孔洞的要求（见3.4,2006版的3.4）。

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）归口。

本标准起草单位：云南l临沧鑫困错业股份有限公司、有研光电新材料有限责任公司、中错科技有限

公司、衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司、广东先导稀材股份有限公司、锡林郭勒通力错业有限责任公

司、云南东昌金属加工有限公司。

本标准主要起草人：包文东、普世坤、李贺戚、冯德伸、惠峰、范德胜、朱知国、李正美、董汝昆、朱刘、

尹士平、王晓华。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

GB/T110711989、GB/T110712006。

I

GB/T11071-2018

区熔错徒

1范围

本标准规定了区熔错链的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单

（或合同）内容。

本标准适用于以还尿错键及错单晶返料为原料，经区熔提纯工艺制备得到的区熔错链。ZGe-0区

熔错链主要用于制备半导体及高纯错探测器用的高纯错单晶；ZGc-1区熔错键主要用于制备红外光学

和太阳能电池用的错单晶及各类锚’锚、锚，硅合金等。

2规范性引用文件