GB/T 11071-2006 区熔锗锭

ICS29.045

H82

中华人民共和国国家标准

GB/T11071—2006

代替GB11071—1989

区熔错锭

Zone-refinedgermaniumingot

2006-07-18发布2006-11-01实施

发布

GB/T11071—2006

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本标准是对GB/T11071—1989«区熔错锭》的修订。

本标准与GB/T11071—1989相比，主要有如下变动：

——将原标准区熔错锭两个牌号ZGe-1和ZGe-2分别改为ZGe-0和ZGe-1；

——明确ZGe-0和ZGe-1区熔错锭的用途；

—区熔错锭电阻率测量温度由(23+0.5)°C改为(20±0.5)"C,电阻率由$47Q•cm改为$50Qcm；

——在检验规则中，增加了组批、仲裁取样和制样、检测结果判定等内容；

——本标准增加了订货单(或合同)内容。

本标准自批准实施之日起代替GB/T11071—1989

本标准附录A是规范性附录。

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。

本标准由北京有色金属研究总院、云南临沧鑫圆错业股份有限公司负责起草。

本标准主要起草人:冯德伸、包文东、苏小平、杨海、马绍芳。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。

本标准所代替标准的历次版本分布情况为：

——GB/T11071—1989o

I

GB/T11071—2006

区熔错锭

1范围

本标准规定了区熔错锭的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。

本标准适用于以还原错锭及错单晶返料为原料，经区熔提纯而制得的高纯错锭。ZGe-0区熔错锭

主要用于制备探测器用高纯单晶,ZGe-l区熔错锭主要用于制备半导体单晶、红外光学错单晶、错合

金等。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

YS/T602—2006区熔错锭电阻率测试方法直流两探针

3要求

3.1产品分类

区熔错锭按电学性能分为两个牌号：ZGe-0、ZGe-l。