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GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法

GB/T 41153-2021 Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry

国家标准 中文简体 现行 页数：6页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 41153-2021
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H17 半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类号（ICS）
77.040 金属材料试验
发布日期
2021-12-31
实施日期
2022-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。

发布历史

文前页预览

GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法-第1页
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法-第2页
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法-第3页
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法-第4页

研制信息

起草单位：
中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司
起草人：
马农农、何友琴、陈潇、刘立娜、何烜坤、李素青、张红岩
出版信息：
页数：6页 | 字数：14 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS77.040

CCSH17

中华人民共和国国家标准

/—

GBT411532021

、、

碳化硅单晶中硼铝氮杂质含量的测定

二次离子质谱法

,

Determinationofboronaluminumandnitroenimuritcontentinsilicon

gpy

—

carbidesinlecrstalSecondarionmasssectrometr

gyypy

2021-12-31发布2022-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

、、

碳化硅单晶中硼铝氮杂质含量的测定

二次离子质谱法

/—

GBT411532021

*

中国标准出版社出版发行

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