GB/T 48216.1-2026 半导体器件 通用鉴定指南 第1部分：集成电路可靠性鉴定指南

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T482161—2026/IEC63287-12021

.:

半导体器件通用鉴定指南

第1部分集成电路可靠性鉴定指南

:

Semiconductordevices—Genericqualificationguidelines—

Part1GuidelinesforICreliabilitualification

:yq

IEC63287-12021IDT

(:,)

2026-09-28发布2027-04-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T482161—2026/IEC63287-12021

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………2

产品类别及应用

4…………………………2

失效

5………………………3

失效分布

5.1……………3

早期失效

5.2……………4

随机失效

5.3……………9

耗损失效

5.4……………12

可靠性试验

6………………14

可靠性试验概述

6.1……………………14

可靠性试验方案

6.2……………………14

可靠性试验方法

6.3……………………18

可靠性试验的加速模型

6.4……………20

族的概念

6.5……………21

应力试验方法

7……………24

补充试验

8…………………25

假设汇总表

9………………25

总结

10……………………26

参考文献

……………………28

Ⅰ

GB/T482161—2026/IEC63287-12021

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件通用鉴定指南的第部分已经发布了以下

GB/T48216《》1。GB/T48216

部分

:

第部分集成电路可靠性鉴定指南

———1:;

第部分可靠性鉴定中任务剖面的概念

———2:。

本文件等同采用半导体器件通用半导体鉴定指南第部分集成电路可靠

IEC63287-1:2021《1:

性鉴定指南

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为消除直译造成的词语重复删除了标准名称中的第个半导体由半导体器件通用半

a),2“”,“

导体鉴定指南更改为半导体器件通用鉴定指南同时删除英文名称中第个

”“”,2“semicon-

ductor”;

将注的更改为技术内容一致并将注改为来源

b)3.3IEV:521-10-03GB/T2900.66—2004,,;

将图位置移至图下方

c)1312。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中电国基北方有限公司河北北芯半导体科技有限公司中科亿海微电子科技苏州

:、、()

有限公司深圳市赛元微电子股份有限公司浙江宇谦半导体科技有限公司中国电子科技集团公司第

、、、

十三研究所工业和信息化部电子第五研究所深圳市容微精密电子有限公司深圳市恒运昌真空技术

、、、

股份有限公司广东高云半导体科技股份有限公司广东全芯半导体有限公司深圳通锐微电子技术有

、、、

限公司深圳市辰卓科技股份有限公司广东风华芯电科技股份有限公司西安航天民芯科技有限公司

、、、、

浙江翠展微电子有限公司长沙韶光半导体有限公司迅芯微电子苏州股份有限公司深圳市卓茂科

、、()、

技有限公司深圳星火半导体科技有限公司致真精密仪器青岛有限公司湖南兴芯微电子科技有限

、、()、

公司中国电子技术标准化研究院河北凯诺中星科技有限公司乐健科技珠海有限公司重庆云潼科

、、、()、

技有限公司福爱电子贵州有限公司深圳芯珑电子技术有限公司中山市智牛电子有限公司深圳市

、()、、、

科通技术股份有限公司广东仁懋电子有限公司

、。

本文件主要起草人张丽青沈彤茜司子恒魏育成韩买兴邢巍毕俊峰董燕楠张丽丽

:、、、、、、、、、

席善斌胡松祥迟雷赵燕白文斌陈浩祥裴选王伟高若源尹丽晶章晓文刘泽鑫乐卫平

、、、、、、、、、、、、、

王添平周添喜张恒许应卢晓鹏孙权吴瑞贺先要吴旦昱闻权陈运松王麟张学莹罗军

、、、、、、、、、、、、、、

李剑新齐筱孙凤霞孙继斌廖光朝张平蒙占宇廖志雄刘振宇仇亮

、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T482161—2026/IEC63287-12021

.:

引言

半导体器件是电子行业产业链中的通用基础产品半导体器件通用鉴定指南系列

,GB/T48216《》

标准是半导体器件进行可靠性鉴定的基础性和通用性标准对于半导体器件的质量和可靠性起到很好

,

的保障作用拟由个部分构成

,4。

第部分集成电路可靠性鉴定指南目的在于指导半导体集成电路产品的可靠性鉴定规定

———1:。,

了集成电路失效分布类型的划分可靠性试验的方法应力试验的方法

、、。

第部分可靠性鉴定中任务剖面的概念目的在于基于产品的工作环境条件和拟定用途使

———2:。,

用任务剖面概念为制定可靠性鉴定计划提供指南规定了可靠性鉴定中任务剖面的概念及计

,

算方法

。

第部分功率半导体模块可靠性鉴定方案指南目的在于指导功率半导体模块的可靠性鉴

———3:。

定规定了功率半导体模块失效分布类型的划分可靠性试验的方法应力试验的方法

,、、。

第部分早期失效评估目的在于基于环境条件和产品的建议用法指导早期失效评估制定

———4:。,

可靠性鉴定给出了累积失效概率计算的方法

,。

该系列标准等同采用系列标准保证半导体器件鉴定标准与国际标准一致实现半导体

IEC63287,,

器件可靠性标准与国际接轨通过制定该系列标准统一半导体器件的鉴定准则为半导体器件的研

。,,

究生产鉴定和使用具有重要意义同时补充完善了半导体器件标准体系为半导体器件行业的发展起

、、,,

到指导作用

。

Ⅳ

GB/T482161—2026/IEC63287-12021

.:

半导体器件通用鉴定指南

第1部分集成电路可靠性鉴定指南

:

1范围

本文件提供了半导体集成电路产品的可靠性鉴定方案的指南本文件不适用于军事和航天相关应

。

用场景第章中以汽车应用汽车应用和消费级应用这个产品类别为示例进行介绍

。4A、B3。

注1本文件基于或其他相关文件改编若有明确规定生产商也能依据本文件使

:EDR-4708、AECQ100、JESD47。,

用灵活的样本量来降低成本并保持合理的可靠性

。

注2本文件中使用的威布尔分布方法是在给定的可靠性项目下计算适当样本量和试验条件的方法之一

:。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件机械和气候试验方法第部分稳态温湿度偏置寿命试验

IEC60749-55:(Semi-

conductordevices—Mechanicalclimatictestmethods—Part5:Steady-statetemperaturehumiditybias

lifetest)

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温贮存

IEC60749-66:(Semiconductordevices—

Mechanicalclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)

半导体器件机械和气候试验方法第部分通孔安装器件的耐焊接热

IEC60749-1515:(Semi-

conductordevices—Mechanicalclimatictestmethods—Part15:Resistancetosolderingtemperature

forthrough-holemounteddevices)

注半导体器件机械和气候试验方法第部分通孔安装器件的耐焊接热

:GB/T4937.15—201815:(IEC60749-

15:2010,IDT)

半导体器件机械和气候试验方法第部分塑料表面安装器件耐潮湿和焊接

IEC60749-2020:

热综合影响

(Semiconductordevices—Mechanicalclimatictestmethods—Part20:Resistanceofplastic

encapsulatedSMDstothecombinedeffectofmoistureandsolderingheat)

注半导体器件机械和气候试验方法第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综

:GB/T4937.20—201820:

合影响

(IEC60749-20:2008,IDT)

半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性

IEC60749-2121:(Semiconductordevices—

Mechanicalclimatictestmethods—Part21:Solderability)

注半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性

:GB/T4937.21—201821:(IEC60749-21:2011,IDT)

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温工作寿命

IEC60749-2323:(Semiconductor

devices—Mechanicalclimatictestmethods—Part23:Hightemperatureoperatinglife)

注半导体器件机械和气候试验方法第部分高温工作寿命

:GB/T4937.23—202323:(IEC60749-23:

2011,IDT)

半导体器件机械和气候试验方法第部分温度循环

IEC60749-2525:(Semiconductor

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