GB 29447-2026 硅多晶和锗单位产品能源消耗限额

ICS27010

CCSF.01

中华人民共和国国家标准

GB29447—2026

代替GB29447—2022

硅多晶和锗单位产品能源消耗限额

Normofenergyconsumptionperunitproductsofpolysiliconandgermanium

2026-06-27发布2027-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB29447—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替多晶硅和锗单位产品能源消耗限额与相比除结

GB29447—2022《》,GB29447—2022,

构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

,:

更改了范围见第章年版的第章

a)(1,20221);

增加了规范性引用文件见第章

b)GB17167(3);

增加了三氯氢硅法和硅烷流化床法的术语和定义见

c)(3.1、3.2);

更改了能耗限额等级值见年版的

d)(4.1、4.2,20224.1、4.2);

更改了硅多晶的能耗统计范围见年版的

e)(6.1.1.1,20226.1.1.1);

增加了硅多晶主要生产工序能源消耗统计范围见

f)(6.1.1.4);

更改了产品产量内容见年版的

g)(6.2,20226.2.1);

更改了外购的原辅材料及中间产品对应的单位产品能耗基准见年版的

h)(6.3.3,20226.2.4)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由国家标准化管理委员会提出并归口

。

本文件于年首次发布年第一次修订时并入了锗单位产品能源消耗

2012,2022GB29413—2012《

限额的内容本次为第二次修订

》,。

Ⅰ

GB29447—2026

硅多晶和锗单位产品能源消耗限额

1范围

本文件规定了硅多晶和锗单位产品能源消耗以下简称能耗限额等级技术要求统计范围和计

(“”)、、

算方法

。

本文件适用于以三氯氢硅法或硅烷流化床法生产光伏用硅多晶以下简称硅多晶的企业以锗

(“”),

精矿再生锗原料为原料生产高纯四氯化锗高纯二氧化锗区熔锗锭锗单晶的企业进行能耗的计算

、、、、、

考核以及对新建改建和扩建项目的能耗控制

,、。

本文件不适用于生产半导体用电子级硅多晶区熔级硅多晶的企业的能耗控制

、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

综合能耗计算通则

GB/T2589

锗单晶和锗单晶片

GB/T5238

高纯二氧化锗

GB/T11069

区熔锗锭

GB/T11071

单位产品能源消耗限额编制通则

GB/T12723

半导体材料术语

GB/T14264

用能单位能源计量器具配备和管理通则

GB17167

太阳能级硅多晶

GB/T25074

流化床法颗粒硅

GB/T35307

高纯四氯化锗

YS/T13

3术语和定义

和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T2589、GB/T12723、GB/T14264GB17167。

31

.

三氯氢硅法trichlorosilanehydrogenprocess

一种生产硅多晶的工艺将高纯三氯氢硅与高纯氢气按比例通入还原炉三氯氢硅在硅芯表面发生

,,

还原或热分解反应气相沉积生成棒状硅多晶

,。

32

.

硅烷流化床法silanefluidizedbedprocess

一种生产硅多晶的工艺将高纯硅烷与高纯氢气按比例通入流化床反应器硅烷在硅籽晶表面发生

,,

分解反应气相沉积生成颗粒硅多晶

,。

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