DB53/T 501-2013 多晶硅用三氯氢硅杂质元素含量测定 电感耦合等离子体质谱法

DB53/T 501-2013 Determination of impurity elements in trichlorosilane for polycrystalline silicon by inductively coupled plasma mass spectrometry

云南省地方标准 简体中文 废止 页数:0页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
DB53/T 501-2013
标准类型
云南省地方标准
标准状态
废止
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2013-08-01
实施日期
2013-10-01
发布单位/组织
云南省质量技术监督局
归口单位
云南省质量技术监督局
适用范围
本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定多晶硅用三氯氢硅中硼、铁、铝、钙、铜、铬、镍、锑、钴、锌、锡、钛、锰杂质元素含量的方法。本标准适用于改良西门子法生产多晶硅用三氯氢硅中硼、铁、铝、钙、铜、铬、镍、锑、钴、锌、锡、钛、锰杂质元素含量的测定。

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研制信息

起草单位:
昆明冶研新材料股份有限公司
起草人:
赵建为、张云晖、于艳敏、金波、亢若谷、马启坤、杨晓静、田琦、李晓华、韩小月
出版信息:
页数:- | 字数:- | 开本: -

内容描述

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