GB/T 4728.5-2005 电气简图用图形符号 第5部分：半导体管和电子管

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GB/T4728.5-2005/IEC60617database

代替GB/T4728.5-2000

电气简图用图形符号

第5部分：半导体管和电子管

Graphicalsymbolsforelectricaldiagrams-

Part5：Semiconductorsandelectrontubes

（IEC60617database，IDT)

2005-03-03发布2005-08-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局．＊

小ha19、菌q`辈秘，花瞥撞臀赘荟发布

GB/T4728.5-2005/IEC60617database

前「勺

GB/T4728((电气简图用图形符号》包括13个部分：

—第1部分：一般要求

—第2部分：符号要素、限定符号和其他常用符号

—第3部分：导体和连接件

—第4部分：基本无源元件

—第5部分：半导体管和电子管

—第6部分：电能的发生与转换

—第7部分：开关、控制和保护器件

—第8部分：测量仪表、灯和信号器件

—第9部分：电信：交换和外围设备

—第10部分：电信：传输

—第11部分：建筑安装平面布置图

—第12部分：二进制逻辑元件

—第13部分：模拟元件

本部分为GB/T4728的第5部分，等同采用IEC60617database《电气简图用图形符号》数据库标

准英（文版）的相应的内容。

本部分代替了GB/T4728.5--2000《电气简图用图形符号第5部分：半导体管和电子管》。

本部分与GB/T4728.5-2000相比：

—所有符号为按专业进一步分类，均按IEC60617数据库中给出的符号标识号由小到大排列；

—GB/T4728.2-2005中各符号列出IEC60671数据库中包含的各项信息，较旧版增加了多项

内容。

本部分由全国电气信息结构、文件编制和图形符号标准化技术委员会提出并归口。

本部分主要起草单位：机械科学研究院中机生产力促进中心。

参加起草的单位还有：国电华北电力设计院工程有限公司、中国航空综合技术研究所、中国航天科

工集团二院、中国电子工业标准化所、邮电工业标准化所、中国电力企业联合会等。

本部分主要起草人：郭汀、沈兵、高惠民、李旭亮、武冰梅、谭泳、陈泽毅、王素英、李道本、武晶、于明、

李萍、季慧玉、徐云驰、李海波、李志勇、周鹏、高永梅。

本部分所代替标准历次版本发布情况为：

—GB/T4728.5-1985；

—GB/T4728.5-2000o

GB/T4728.5-2005/IEC60617database

电气简图用图形符号

第5部分：半导体管和电子管

500057

一幸；

名称：三极闸流晶体管，未规定类型

Triodethyristor,typeunspecified

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-04-04

关键词：半导体，闸流管

采用符号：S00613,S00619

应用注释：A00184

形状类别：等边三角形，直线

功能类别：02受控切换或改变

应用类别：电路图

备注：若不需指定控制极的类型时，本符号用于表示反向阻断三极闸流晶体管

500613

1日：

名称：半导体区，具有一处接触

Semiconductorregion,oneconnection

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-01

关键词：接触，欧姆接触，半导体区，半导体，晶体管

用于：S00057,500653,500641,500616,500648,500663,S00651,S00662,S00665,S00657,

500646，S00661，500654，S00614,500655，500660，500645，S00658，S00659，S00664，

500649，S00650，500656，S00652，500615

形状类别：直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

备注：垂直线表示半导体区，水平线表示欧姆接触

GB/T4728.5-2005/IEC60617database

S00614

一升一：

名称：半导体区，具有多处接触

Semiconductorregion,severalconnections

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-02

关键词：欧姆接触，半导体区，半导体，晶体管

形式：形式1

其他形式：S00615,S00616

采用符号：500613

形状类别：直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

备注：示出两处接触

500615

一飞一

名称：半导体区，具有多处接触

Semiconductorregion,severalconnections

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-03

关键词：欧姆接触，半导体区，半导体，晶体管

形式：形式2

其他形式：S00614,S00616

采用符号：S00613

形状类别：直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

备注：示出两处接触

500616

：赎：

名称：半导体区，具有多处接触

Semiconductorregion,severalconnections

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-04

关键词：欧姆接触，半导体区，半导体，晶体管

GB/T4728.5-2005/IEC60617database

形式：形式3

其他形式：S00614,S00615

用于：500666，500667,S00672,S00668,S00670,S00671，500669

采用符号：S00613

形状类别：直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：概念要素或限定符号

备注：示出两处接触

S00617

一阵：

名称：耗尽型器件导电沟道

Conductionchannelfordepletiondevices

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-05

关键词：导电沟道，耗尽型，半导体，晶体管

用于：500682,S00672,500683,S00677,S00678,S00671,S00679

形状类别：直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

S00618

．H·

·I，·

·卜一·

名称：增强型器件导电沟道

Conductionchannelforenhancementdevices

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-06

关键词：导电沟道，增强型，半导体，晶体管

用于：500673,S00676,S00674,S00675,S00681,S00680

形状类别：直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

500619

一圭一

名称：整流结

Rectifyingjunction

GB/T4728.5-2005/IEC60617database

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-07

关键词：结，整流器，半导体

用于：500057,S00378,500653,S00641,S00648,500651,S00662,S00657,S00646,S00661,

500654,S00647,S00655,S00660,S00645，S00658,S00650,S00656

被替代的符号：501364

形状类别：等边三角形，直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

S00620

·一州·

名称：影响半导体层的结，影响N层的P区

Junctionwhichinfluencesasemiconductorlayer,P-regionwhichinfluencesanN-layer

状态：标准

发布日期：2001--07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-09

关键词：场效应管，栅，结，N层，P区，半导体，晶体管

用于：S00671

应用注释‘：A00176

形状类别：箭头，直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

500621

·-<A·

名称：影响半导体层的结，影响P层的N区

Junctionwhichinfluencesasemiconductorlayer,N-regionwhichinfluencesaPlayer

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-10

关键词：场效应管，栅，结，N区，P层，半导体，晶体管

用于：500672

应用注释：A00176

形状类别：箭头，直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

GB/T4728.5-2005/IEC60617database

500622

·卜！·

名称：导电型沟道，P型衬底上的N型沟道

Conductivitytypeofthechannel，N-typechannelonaP-typesubstrate

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-11

关键词：导电沟道，场效应管，IGFET，绝缘栅,N型沟道，半导体，晶体管

用于：S00676,S00674,S00677

应用注释：A00177

形状类别；箭头，直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

备注：P型衬底上的N型沟道，示出耗尽型IGFET

500623

·1二

·卜）－二

！·

名称：导电型沟道，N型衬底上的P型沟道

Conductivitytypeofthechannel，P-typechannelonanN-typesubstrate

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-12

关键词：导电沟道，场效应管，IGFET，绝缘栅，P型沟道，半导体，晶体管

用于：S00673,S00675,S00678,S00679

应用注释：A00177

形状类别：箭头，直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

备注：N型衬底上的P型沟道，示出增强型IGFET

500624

·习：：

名称：绝缘栅

Insulatedgate

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-13

关键词：场效应管，栅，IGFET，绝缘栅，半导体，晶体管

用于：500682,S00673,500676,S00674,S00683,S00677,500675,500678,S00681,

500680，S00679

形状类别：直线

GB/T4728.5-2005/IEC60617database

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

备注：具有多栅的示例见符号500679

S00625

一丫一

名称：不同导电型区上的发射极，N区上的P型发射极

Emitteronaregionofdissimilarconductivitytype,PemitteronanNregion

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-14

关键词：二极管，发射极，半导体，晶体管

用于：500626,S00682,500667,S00663,S00670,S00683,S00681,S00680,S00669,S00687

应用注释：A00178

形状类别：箭头，直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

500626

嘴‘－

名称：不同导电型区上的发射极，N区上的P型发射极

Emittersonaregionofdissimilarconductivitytype,PemittersonanNregion

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-15

关键词：二极管，发射极，半导体，晶体管

采用符号：S00625

应用注释：A00178

形状类别：箭头，直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

500627

产‘：

名称：不同导电型区上的发射极，P区上的N型发射极

Emitteronaregionofdissimilarconductivitytype,NemitteronaPregion

状态：标准

发布日期：2001-07-01

GB/T4728.5-2005/IEC60617database

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-16

关键词：二极管，发射极，半导体，晶体管

用于：500682,S00666,500668,S00665,500683,S00681,S00680,S00628,S00664

应用注释：A00178

形状类别：箭头，直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

S00628

龙！1

名称：不同导电型区上的发射极，P区上的N型发射极

Emittersonaregionofdissimilarconductivitytype,NemittersonaPregion

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-17

关键词：二极管，发射极，半导体，晶体管

采用符号：500627

应用注释：A00178

形状类别：箭头，直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

S00629

：叹：

名称：不同导电型区上的集电极

Collectoronaregionofdissimilarconductivitytype

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-18

关键词：二极管，集电极，半导体，晶体管

用于：500668,S00630,S00663,S00665,S00664,S00687

应用注释：A00179

形状类别：直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

GB/T4728.5-2005八EC60617database

500630

一眨1

名称：不同导电型区上的集电极

Collectorsonaregionofdissimilarconductivitytype

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-19

关键词：二极管，集电极，半导体，晶体管

采用符号：500629

应用注释：A00179

形状类别：直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

500631

：K：

名称：不同导电型区之间的过渡

Transitionbetweenregionsofdissimilarconductivitytypes

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-20

关键词：半导体区，半导体，晶体管

用于：s00682,so0683,S00681,so0680

应用注释：A00180

形状类别：直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

500632

：1一

名称：隔开不同导电型区的本征区

Intrinsicregionseparatingregionsofdissimilarconductivitytype

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-21

关键词：本征区，NIP,PIN，半导体区，半导体，晶体管

应用注释：A00181

GB/T4728.5-2005/IEC60617database

形状类别：直线，平行四边形

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

备注：示出PIN或NIP结构

500633

性·一

名称：相同导电型区之间的本征区

Intrinsicregionbetweenregionsofsimilarconductivitytype

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-22

关键词：本征区，NIN,PIP，半导体区，半导体，晶体管

应用注释：A00181

形状类别：直线，平行四边形

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

备注：示出PIP或NIN结构

S00634

：比：

名称：集电极与不同导电型区之间的本征区

Intrinsicregionbetweenacollectorandaregionofdissimilarconductivitytype

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-23

关键词：集电极，本征区，NIP,PIN，半导体区，半导体，晶体管

用于：500669

应用注释：A00182

形状类别：直线，平行四边形

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

备注：示出PIN或NIP结构

GB/T4728.5-2005/IEC60617database

S00635

一叹一

名称：集电极与相同导电型区之间的本征区

Intrinsicregionbetweenacollectorandaregionofsimilarconductivitytype

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-24

关键词：集电极，本征区，NIN,PIP，半导体区，半导体，晶体管

用于：500670

应用注释：A00182

形状类别：直线，平行四边形

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

备注：示出PIP或NIN结构

S00636

：一f！

名称：肖特基效应

Schottkyeffect

状态：标准

发布日期：2001-07-01

上版标准序号：GB/T4728.5(ed.2.0)05-02-01

关键词：二极管，肖特基，半导体，晶体管

应用注释：A00150

形状类别：直线

功能类别：功能要素或属性

应用类别：电路图

S00637

1：」一

名