GB/T 4728.5-2000 电气简图用图形符号 第5部分:半导体管和电子管
GB/T 4728.5-2000 Graphical symbols for diagrams—Part 5:Semiconductors and electron tubes
基本信息
发布历史
-
2000年01月
-
2005年03月
-
2018年07月
研制信息
- 起草单位:
- -
- 起草人:
- 郭汀、李世林、高惠民、魏雁筠、江松柏、徐云驰
- 出版信息:
- 页数:45页 | 字数:88 千字 | 开本: 大16开
内容描述
GB/T4728.5一2000
前言
本标准等同采用国际电工委员会标准IEC617-5;1996《简图用图形符号第5部分:半导体管和电
子管》
本标准是对GB/T4728.51985《电气图用图形符号半导体管和电子管》的修订,与
GB/T4728.5-1985相比,本标准中增加了05-05-18,05-05-19,05-05-20,05-05-21,05-06-09,05-09-
16,05-11-04,05-13-11,05-13-12,05-14-03等10个符号,删掉了GB/T4728.5--1985中的122个符号,
还有15个符号画法稍有改动
GB/T4728.5是系列标准《电气简图用图形符号》的一个部分。
该系列标准包括如下部分:
GB/T4728.1电气图用图形符号总则
GB/T4728.2电气简图用图形符号第2部分:符号要素、限定符号和其他常用符号
GB/T4728.3电气简图用图形符号第3部分:导体和连接件
GB/T4728.4电气简图用图形符号第4部分:基本无源元件
GB/T4728.5电气简图用图形符号第5部分:半导体管和电子管
GB/T4728.6电气简图用图形符号第6部分:电能的发生与转换
GB/T4728.7电气简图用图形符号第7部分:开关、控制和保护器件
GB/T4728.8电气图用图形符号测量仪表、灯和信号器件
GB/T4728.,电气简图用图形符号第9部分:电信:交换和外围设备
GB/T4728.10电气简图用图形符号第10部分:电信:传输
GB/T4728.11电气图用图形符号电力、照明和电信布置
GB/T4728.12电气简图用图形符号第12部分:二进制逻辑元件
GB/T4728.13电气简图用图形符号第13部分:模拟元件
该系列标准的范围及引用标准见IEC6171.修订GB/,r4728.11985时拟等同采用IEC617-1,
IEC617-5:1996的附录B和附录C分别为法文、英文索引,本标准删去
木标准的附录B为GB/T4728.5-1985中增加的、IEC617-5(第1版)中所没有的符号
本标准从实施之日起代替GB/T4728.5-1985
本标准的附录n和附录B都是提示的附录
本标准由全国电气文件编制和图形符号标准化技术委员会提出并归口。
本标准由机械工业部机械科学研究院负责起草。
本标准主要起草人:郭汀、李世林、高惠民、魏雁药、江松柏、徐云驰
本标准首次发布时间为1985年.
GB/T4728.5一2000
IEC前言
1)IEC(国际电工委员会)是包括所有国家电工委员会((IEC各国家委员会)的世界范围的标准化组
织IEC规定的目标是促进在电工和电子领域有关标准的各种问题上的国际合作为此目的和其他活动
的需要,IEC还出版国际标准。国际标准的制定委托给各技术委员会。如对所研究的内容感兴趣,任何
IEC国家委员会都可以参加标准制定工作。和IEC有联系的国际组织、政府和非政府组织也可参加标
准制定工作。根据与国际标准化组织(ISO)间的协议所确定的条件,IEC和ISO密切合作。
2)IEC有关技术问题上的正式决议和协议,由那些特别关心这些问题的国家委员会参加的技术委
员会所制定,对所涉及的主题尽可能表达国际上的一致看法。
3)它们以标准、技术报告或导则的形式出版并推荐国际上使用,在这个意义上为各国家委员会所
接受。
4)为了促进国际上的统一,IEC各国家委员会承担在他们的国家和地区可能最大程度地应用IEC
国际标准的任务。IEC国际标准和相应的国家标准或地区标准之间有任何差异都应在后者中明确指出。
国际标准IEC617-5由IEC第3技术委员会(文件和图形符号)的3A分技术委员会(简图用图形
符号)起草。
本第2版废除和取代了1983年的第1版并进行了技术修订。
本标准的正文基于下述文件:
国际标准草案(FDIS)表决报告
3A/383/FDIS3A/421/RVD
表决本标准的全部信息可在上表所述的表决报告中找到。
附录A,附录B、附录C仅供参考。
i;1:/T4728.5-2000
IEC91言
IEC617的这一部分构成了简图用图形符号系列的一个部分。
该系列包括如下部分:
第1部分:一般信息、总索引、对照表
第2部分:符号要素、限定符号和其他常用符号
第3部分:导体和连接件
第4部分:基本无源元件
第5部分:半导体管和电子管
第6部分:电能的发生与转换
第7部分:开关、控制和保护器件
第8部分:测量仪表、灯和信号器件
第9部分:电信:交换和外围设备
第10部分:电信:传输
第H部分:建筑及测绘装置图和简图
第12部分二进制逻辑元件
第13部分:模拟元件
该系列的范围及引用标准见IEC617-1
L述符号根据将出版的ISO11714-1‘的要求设计。所采用的模数M=2.5mm。为了使较小的符号
更清晰,在本标准中这些符号被放大一倍,并且在符号栏中作了“2000o”的标记;为了节省幅面,较大的
符号被缩小一倍,并在符号栏中作了“50%”的标记。为了便于绘制多个端子和满足其他布置上的要求,
按[SO11714-1第7条的规定,符号的尺寸(例如高度)可以改变。无论符号的尺寸被放大、缩小或修正,
原先的线宽不按比例修正。
本标准的符号布置,应使连接线之间的距离是某一模数的倍数。为了便于标注端子的标记.通常选
开3L:9为f便于理解,符号按一定的尺寸绘制,并且在绘制所有的符号时,都统一使用了一样的网格。
在汁算机辅助绘图系统中,所有的符号均应画在网格内,所用的网格再现在符号的背景上。
右IEC617-5第1版附录A中包括的旧符号有一个过渡期,第2版中不再包括这一部分,同时将明
价它‘们不再使用、
附录”和附录C的索引包括符号名称及其编号的字付顺序索引,符号名称以本部分符号的说明为
依据_包括所有部分的符号字母顺序的总索引由IEC617-1给出。
目前.尚在国际标雕草案阶段(文件3/563/DIS)
中华人民共和国国家标准
电气简图用图形符号GB/'r4728.5-2000
idtIFC617-5:1996
第5部分:半导体管和电子管
代替GR/T4728.5-1985
Graphicalsymbolsfordiagrams--
Part5:Semiconductorsandelectrontubes
第一篇半导体器件
1符号要案
序号图形符号}说明
05-01-01具有一处欧姆接触的半导体区
·日·垂直线表示半导体区,水平线表示欧姆接触
}05-01-02具有多处欧姆接触的半导体区
形式1·洲日·示出二处欧姆接触的例子
05-01-03形式2飞
05-01-04
形式:巨‘
{
05-01-05!卜:耗尽型器件导电沟道
05-01-06·卜-·增强型器件导电沟道
}
·!-·
05-01-07}整流结
玉1}
{
05-01-08删除移到附录A:05-Al-01
05-01-09.--H·用电场影响半导体层的结,例如在结型场效
应半导体管
P区影响N层
05-01-10..峨刁.N区影响p层
国家质f技术监督局2000一01一03批准2000-07一01实施
Ga/T4728.5-2000
序号图形符号说明
05-01一I1一日-欧夏绝缘栅场”应半”体管I(GFET’的道“
一}P型衬底上的N型沟道,示出耗尽型IGFET
05-01-12·}…
·白卜
}}Nf1底“上的’型道“’示出增NCfIGFET
05-01-13.』::绝缘栅
具有多栅的示例见符号。5-05-17
一是.NNLCxtMH1hAP}}`IP}3t''#kx11iI
一畏,一KLC:htOONLlM^NA#t&t#&
05-01一18一h一一诩钝狐珑飘极
:;尧:一斜线表示集电极
05-0卜19一戈一不同导电型区上的几个集电极
O5-0I一20不同导电型区之间的转变,Y转N,或N转P
:K:
短斜线表示沿垂直线从P到N,或从N到P
的转变点〔欧姆接触不应画在短斜线上
GB/T4728.5一2000
序号图形符号1说明
05一01一23一个集电极与一个不同导电型区之间的本征
一{-比区,所给出的PIN或NIP结构
长斜线表示集电极
也5一01一24一个集电极与一个相同导电型区之间的本征
1比-区,所给出的PPI或NIN结构
一斜“线表示集电极
2半导体器件特有的限定符号
必要时,可在器件的符号旁加注限定符号或将限定符号作为符号的一部分,以表示器件在电路中的
特殊功能或基本特性:
序号图形符号说明
05一02一01肖特基效应
1丁·1-
{
05一02一02一隧道效应
〕·
}
05一{)2一03单向击穿效应
}.:」·齐纳效应
05一02一04:一工·}双向击穿效应一
05一02一05反向效应(单隧道效应)
工··
汝}
3半导体二极管示例
序号图形符号说明
05一0301{一半”体二管“,一”””
一幸-}
}
05一03一02、妙·发光二极管(LED),一般符号
05一03一03热敏二_极管
一1一幸:
Gs/'r4728.5--2000
序号图形符号说明
05-03-04变容二极管
袍
:午r.
05-03-05隧道二极管
伞·江崎二极管
05-03-06一未’单向击穿二极管
.半:电压调整二极管
::’.:一齐纳二极管
‘双向击穿二极管
05-03-07
一来一_
反向二极管(单隧道二极管)
05-03-08
一伞-
05-03-09‘双向二极管
一率-
4晶体闸流管示例
GB/T4728.5一2000
序号一图形符号说明
05-04-05反向阻断三极晶体闸流管,N型控制极(阳极
幸-侧受控)
}
05-04-06反向阻断三极晶体闸流管,P型控制极(阴极
一津1侧受控)
05-04-07幸·‘可关断晶体闸流管,未指定控制极
05-04-08可关断三极晶体闸流管.N型控制极(阳极侧
一泽-受控)
05-04-09可关断三极晶体闸流管,P型控制极(阴极侧
,夕受控)
}
05-04-101友·反向阻断四极晶体闸流管
05-04-11双向三极晶体闸流管
燕-三端双向晶体闸流管
05-04-121幸-反向导通三极晶体闸流管,未指定控制极
05-04-13反向导通三极晶体闸流管,N型控制极(阳极
一津.侧受控)
}
05-04-14}反向导通三极晶体闸流管,P型控制极(阴极
一交1{侧受控)
}
}一
Gs/T47285-2000
半导体管示例
GB/'r4728.5-2000
一
序号图形符号说明
一
05-05-11一绝缘栅场效应半导体管(IGFE:。
.…‘,.
J·m‘31MY.Iif1T,PJM-JN}ll%ff',',0PT5I-F0‘5T-c1一出‘“
05-05-12}绝缘栅场效应半导体管(IGFET)一-一一
一一增强型、单栅、NM.沟道、衬底无引出线
一』牟一
05-05-13一。日绝缘栅场效应半导体管(IGFET)
一1卜增强型、单栅,P型沟道、衬底有引出线
·J卜
05-05-14绝缘栅场效应半导体管(IGFET)
:JF:增强型、单栅、N型沟道、衬底与源极内部连
接
05-05-15绝缘栅场效应半导体管(IGFET)
、:华:耗尽型、单栅,N型沟道、衬底无引出线
05-05-16绝缘栅场效应半导体管((IGFE丁)
.:JiE.:耗尽型、单栅、P型沟道、衬底无引出线
05-05-17{绝缘栅场效应半导体管(IGFET)
,习匡1耗尽型、双栅,N型沟道、衬底有引出线
:习阵.在多栅的情况下,主栅和源极的引出线应绘
在一直线上
干
05-05-18一绝缘栅双极半导体管(IGBT)增强型,P沟道
字母E,G和C分别表示发射极、栅极和集电
一一}口C.极的端子名,若不会引起混淆,字母可以省略
,丫\_·}
..……七.{
05-05-19绝缘栅双极半导体管(IGBT)
增强型、N沟道
Jti·
。5一。5一:。}绝缘栅双极半导体管((IGBT)
耗尽型,P沟道
一侧暇-}
{
GB/T4728.5一2000
序号图形符号说明
05一05一21绝缘栅双极半导体管(IGBT)
耗尽型、N沟道
,丈1
一
6光敏和磁敏器件示例
序号图形符号说明
05一06一01光敏电阻
价·光电导管
一具有对称导电性的光电导器件
一
05一06一02光电二极管
峰‘·具有非对称导电性的光电器件
05一()6一031拜·光电池
05一06一04光电半导体管,示出PNP型
一飞
05一06一05于·1具有‘四根引出线霍尔发“
一
一
(巧一06一06磁敏电阻,示出线性型
一一令一t
}
05一06一07一二上二‘七止,一磁,合器件
一李幸鲜。一磁问
0岛06一08光祸合器件
「二光隔离器
I
幸‘(示出发光二极管和光电半导体管
.一逐三亚-
GB/T4728.5-2000
序号图形符号说明
05-06-09一具有光阻挡槽光合‘器件,示出机械阻”
:!:‘:::}:::::
}
一iI-
第二篇电子管
了一般符号要素
序号图形符号说明
05-07-015。%一匆一充气管管壳
05-07-0250、一公一有外屏蔽的管壳
05-07-03管壳内表面导电涂层
5%。W一
05-07-04推”50%'民{间热式热阴极
05-07-05”他J5R0A%:口
05-07-06直热式热阴极
推g,t50A%':口间热式热阴极热丝(子)
热电偶热丝(子)
05-07-07其5“0%'介
05-07-085。、一字一光电阴极
05-07-09冷阴极
50%一1离子加热阴极
05-07-10作为阳极和/或冷阴极的复合电极
50、一雍一符号引出线可以水平绘出。见符号。5-14-02
一
GB/T4728.5-2000
序号一图形符号说明
05-07-11!阳极
:土:板极
50%n”‘”’‘
定制服务
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