GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
GB/T 33657-2017 Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
国家标准
中文简体
现行
页数：12页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 33657-2017
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2017-05-12
实施日期
2017-12-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC 279)
适用范围
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
发布历史
-
2017年05月
研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 起草人：
- 陈一峰、陈小刚、宋志棠
- 出版信息：
- 页数：12页 | 字数：16 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS31.200
L56
中华人民共和国国家标准
/—
GBT336572017
纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储
单元电学操作参数测试规范
—
NanotechnoloiesElectricaloeratinarametertest
gpgp
secificationofwaferlevelnano-scalehasechanememorcells
ppgy
2017-05-12发布2017-12-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT336572017
目次
前言…………………………Ⅲ
引言…………………………Ⅳ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4测试仪器和设备…………………………2
5测试样本结构……………3
6测试参数的选择…………………………3
7测试流程…………………4
8测试报告…………………5
()…………………
附录资料性附录相变存储单元测试系统的构建
A6
()
定制服务
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