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T/CASME 2136-2026 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法

T/CASME 2136-2026 High temperature gate constant bias and alternating bias test method for silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFETs)

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CASME 2136-2026
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
C39 医用电子仪器设备
国际标准分类号（ICS）
31.080.01 半导体器分立件综合
发布日期
2026-01-30
实施日期
2026-03-01
发布单位/组织
-
归口单位
中国中小商业企业协会
适用范围
本文件适用于碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）分立器件（其他封装产品可参照执行）。 本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力的试验环境要求、试验设备要求、试验方法、失效判定规则和试验报告

发布历史

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研制信息

起草单位：
南京第三代半导体技术创新中心有限公司、中国计量科学研究院、南京邮电大学、工业和信息化部电子第五研究所、扬州扬杰电子科技股份有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、湖北九峰山实验室、华兴中科标准技术（北京）有限公司、通标国华标准技术咨询（北京）有限公司
起草人：
张国斌、柏松、张见营、张珺、郭宇锋、李银乐、刘红辉、裘俊庆、杨程、黄润华、陈谷然、李小建、袁俊、李华、任国静、张亚栋
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

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