T/CIE 151-2022 现场可编程门阵列(FPGA)芯片动态老化试验方法

T/CIE 151-2022 Dynamic aging test method for Field Programmable Gate Array (FPGA) chips

团体标准 中文简体 现行 页数:16页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
T/CIE 151-2022
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2022-12-31
实施日期
2023-01-31
发布单位/组织
中国电子学会
归口单位
中国电子学会可靠性分会
适用范围
本文件规定了现场可编程门阵列(FPGA)芯片动态老化要求及试验方法。
本文件适用于FPGA芯片的提供者、使用者和第三方开展老化试验及评价。

发布历史

文前页预览

研制信息

起草单位:
工业和信息化部电子第五研究所、深圳市紫光同创电子有限公司、成都华微电子科技股份有限公司、广东高云半导体科技股份有限公司、上海安路信息科技股份有限公司、深圳市国微电子有限公司、中国航天科技集团公司第九研究院第772研究所、上海复旦微电子集团股份有限公司
起草人:
余永涛、罗军、王小强、廖步彪、刘建明、周奇、袁智皓、朱晴、张帆、周军
出版信息:
页数:16页 | 字数:27 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS31020

CCSL.56

团体标准

T/CIE151—2022

现场可编程门阵列FPGA芯片

()

动态老化试验方法

DnamicaintestmethodoffieldrorammableatearraFPGA

yggpggy()

2022-12-31发布2023-01-31实施

中国电子学会发布

中国标准出版社出版

T/CIE151—2022

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

缩略语

4……………………1

芯片动态老化试验要求及条件

5FPGA…………………2

动态老化试验原则要求

5.1……………2

动态老化试验的配置向量设计

5.2……………………2

动态老化试验的资源覆盖率要求

5.3…………………3

动态老化试验的频率条件

5.4…………3

动态老化试验的温度条件

5.5…………3

动态老化试验的电压条件

5.6…………3

动态老化试验的时间条件

5.7…………3

动态老化试验的输出监测

5.8…………3

芯片动态老化试验系统

6FPGA…………4

动态老化试验系统构成

6.1……………4

动态老化试验系统要求

6.2……………4

芯片动态老化试验流程

7FPGA…………4

报告要求

8…………………5

附录资料性芯片功能模块动态老化配置向量设计

A()FPGA………6

参考文献

………………………9

T/CIE151—2022

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中国电子学会可靠性分会提出并归口

本文件起草单位工业和信息化部电子第五研究所深圳市紫光同创电子有限公司成都华微电子

:、、

科技股份有限公司广东高云半导体科技股份有限公司上海安路信息科技股份有限公司深圳市国微

、、、

电子有限公司中国航天科技集团公司第九研究院第研究所上海复旦微电子集团股份有限公司

、772、。

本文件主要起草人余永涛罗军王小强廖步彪刘建明周奇袁智皓朱晴张帆周军

:、、、、、、、、、。

T/CIE151—2022

引言

集成电路老化试验通过施加温度应力和电应力激发器件的潜在缺陷筛选或剔除早期失效样品提

,,

高芯片的使用可靠性器件的潜在缺陷会造成与时间和应力相关的失效如果不进行老化试验具有潜

。,,

在缺陷的器件会在使用条件下出现初期致命失效或早期寿命失效与一般数字集成电路不同

。,FPGA

芯片作为可编程的半定制电路芯片由大量可配置的可编程逻辑块输入输出块数字处理器数

,FPGA、、、

字时钟管理单元高速收发器等模块构成在老化试验中需要进行编程配置以实现芯片动态工作

、,。

芯片动态老化试验是芯片工作在最大额定状态或最大额定状态之上并且施加动态激励信号使

FPGA,,

芯片内部逻辑节点发生翻转以尽可能模拟实际工作状态更有效地激发芯片潜在缺陷随着

,,。FPGA

技术的发展性能指标不断提升内部功能模块愈加复杂规范有效地开展芯片的动态老

,FPGA,,FPGA

化试验对保证产品的可靠性具有重要意义

,。

T/CIE151—2022

现场可编程门阵列FPGA芯片

()

动态老化试验方法

1范围

本文件规定了现场可编程门阵列芯片动态老化要求及试验方法

(FPGA)。

本文件适用于芯片的提供者使用者和第三方开展老化试验及评价

FPGA、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本

,;,()

文件

半导体集成电路现场可编程门阵列测试方法

SJ/T11706

微电子器件试验方法和程序

GJB548C—2021

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

SJ/T11706。

3.1

动态老化dynamicagingtest

芯片老化试验样品工作在最大额定状态或最大额定状态之上施加动态激励信号使芯片内

FPGA,

部逻辑节点发生翻转尽可能模拟实际工作状态

,。

3.2

翻转覆盖率togglecoverage

芯片内部模块和端口信号在一次完整的测试中发生翻转的百分比翻转包括从高变到低和

FPGA,

从低变到高

3.3

配置向量configurationvector

根据芯片功能要求编制规定并约束功能的向量数据

FPGA,FPGA。

注也称配置位流

:。

3.4

资源覆盖率resourcescoverage

配置向量设计实现所使用的内部资源包括查找表触发器块存储器输入输出等

FPGAFPGA(、、、)

的百分比

注也称资源利用率

:。

4缩略语

下列缩略语适用于本文件

内建自测试

BIST:(BuiltinSelf-test)

1

定制服务