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T/IAWBS 001-2017 碳化硅单晶

T/IAWBS 001-2017 Silicon carbide single crystal

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/IAWBS 001-2017
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
J43 磨料与磨具
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2017-12-20
实施日期
2018-12-31
发布单位/组织
-
归口单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
主要技术内容:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。产品主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件的外延衬底。本标准规定了碳化硅晶片的拉曼光谱检测方法。本标准适用于在室温下晶向为<0001>的碳化硅晶片的[0001]方向及（0001）面的拉曼光谱检测。本标准规定了碳化硅晶片的摇摆曲线的检测方法。本标准适用于在室温下晶向为[0001]的碳化硅晶片的[0001]方向及（0001）面的摇摆曲线检测。本标准规定了熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶的位错密度的检测方法。本标准适用于碳化硅单晶片

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研制信息

起草单位：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有限公司、北京天科合达新材料有限公司、新疆天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研究所、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京华进创威电子有限公司、北京三平泰克科技有限责任公司、河北同光晶体有限公司、山东大学、全球能源互联网研究院
起草人：
陆敏、刘振洲、彭同华、郑红军、王文军、林健、闫果果、刘春俊、何丽娟、钮应喜、彭燕、陈海芹
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

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