GB/T 13539.4-2009 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求
GB/T 13539.4-2009 Low-voltage fuses—Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
发布日期
2009-04-21
实施日期
2009-11-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC 340)
适用范围
本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用,还可用于更高的标称电压的电路。
发布历史
-
1992年07月
-
2005年08月
-
2009年04月
-
2016年04月
研制信息
- 起草单位:
- 上海电器科学研究所(集团)有限公司
- 起草人:
- 季慧玉、吴庆云
- 出版信息:
- 页数:33页 | 字数:60 千字 | 开本: 大16开
内容描述
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中华人民共和国国家标准
/—/:
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代替/—、/—
GBT13539.42005GBT13539.72005
低压熔断器第部分:
4
半导体设备保护用熔断体的补充要求
—:
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狇狆
(:,)
IEC6026942006IDT
20090421发布20091101实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—/:
犌犅犜13539.42009犐犈犆6026942006
目次
前言Ⅰ
1总则1
2术语和定义2
3正常工作条件2
4分类3
5熔断器特性3
6标志5
7设计的标准条件6
8试验6
附录(资料性附录)熔断体和半导体设备的配合导则
A16
附录(规范性附录)制造厂应在产品使用说明书(样本)中列出的半导体设备保护用熔断体
B
的资料20
附录(规范性附录)半导体设备保护用标准化熔断体示例
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