GB/T 13539.4-2009 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求
GB/T 13539.4-2009 Low-voltage fuses—Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
基本信息
标准号
GB/T 13539.4-2009
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
发布日期
2009-04-21
实施日期
2009-11-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC 340)
适用范围
本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。
发布历史
-
1992年07月
-
2005年08月
-
2009年04月
-
2016年04月
研制信息
- 起草单位：
- 上海电器科学研究所(集团)有限公司
- 起草人：
- 季慧玉、吴庆云
- 出版信息：
- 页数：33页 | 字数：60 千字 | 开本： 大16开
内容描述
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中华人民共和国国家标准
／—／：
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代替／—、／—
ＧＢＴ１３５３９．４２００５ＧＢＴ１３５３９．７２００５
低压熔断器第部分：
４
半导体设备保护用熔断体的补充要求
—：
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（：，）
ＩＥＣ６０２６９４２００６ＩＤＴ
２００９０４２１发布２００９１１０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
／—／：
犌犅犜１３５３９．４２００９犐犈犆６０２６９４２００６
目次
前言Ⅰ
１总则１
２术语和定义２
３正常工作条件２
４分类３
５熔断器特性３
６标志５
７设计的标准条件６
８试验６
附录（资料性附录）熔断体和半导体设备的配合导则
Ａ１６
附录（规范性附录）制造厂应在产品使用说明书（样本）中列出的半导体设备保护用熔断体
Ｂ
的资料２０
附录（规范性附录）半导体设备保护用标准化熔断体示例
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