GB/T 17169-1997 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法

GB/T 17169-1997 Test method for the surface quality of polished silicon wafers and epitaxial wafers by optical-reflection

国家标准 中文简体 废止 页数:9页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 17169-1997
相关服务
标准类型
国家标准
标准状态
废止
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
1997-12-22
实施日期
1998-08-01
发布单位/组织
国家技术监督局
归口单位
中国有色金属工业总公司标准计量研究所
适用范围
-

发布历史

研制信息

起草单位:
-
起草人:
李增发、王宏杰、张福祯、颜彩蘩、张光寅、邓江东
出版信息:
页数:9页 | 字数:15 千字 | 开本: 大16开

内容描述

GBIT17169一1997

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前口

目前尚无检索到镜面状半导体晶片表面缺陷光反射无损检验的国际标准或国外先进标准。

本标准利用近代激光技术、先进的光学接收装置,经过信息处理系统,可快速、无损完成对镜面状试

样表面状态分析,试样表面缺陷的图像可直观地在屏幕上显示出来。本标准检验显示出的缺陷图像已编

成图谱。

本标准可实现对半导体硅抛光片、外延片表面直观、灵敏、快速、无损检验。

本标准是光电子技术与微电子技术相结合应用于表面质量检验的研究所取得的重要成果。

本标准于1998年8月1日起实施。

本标准由中国有色金属工业总公司提出。

本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。

本标准由南开大学、天津市半导体材料厂负责起草。

本标准主要起草人:李增发、王宏杰、张福祯、颜彩蔡、张光寅、邓江东。

本标准于1997年12月22日首次发布。

中华人民共和国国家标准

硅抛光片和外延片GB/T17169一1997

表面质量光反射测试方法

Testmethodforthesurfacequalityofpolished

siliconwafersandepitaxialwafersbyoptical-reflection

范围

本标准规定了半导体硅抛光片和外延片表面常见缺陷的光反射无损检验方法。

本标准适用于半导体硅抛光片和外延片表面质量的无损检验。

本标准的检验结果与GB/T6624,GB/T14142的检验结果一致。

2引用标准

下列标准所包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时,所示版本均

为有效。所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。

GB/T6624-1995硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T14142-93硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法

GB/T14262-93半导体材料术语

3方法原理

用激光作光源,利用激光的相干性和空间滤波的方法,形成波面高度均匀的发散光束,照射试样表

面。由于试样表面存在各种不均匀性,反射光束的波面将发生畸变,畸变波面空间折叠,相干成像,形成

与各种缺陷对应的图像。用一定的接收装置C(CD或摄像机)接收、记录反射图像,经过计算机信息处理

系统,可完成试样表面的状态分析、储存。

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