GB/T 3352-2025 人造石英晶体 规范与使用指南

ICS31140

CCSL.21

中华人民共和国国家标准

GB/T3352—2025

代替GB/T3352—2012

人造石英晶体规范与使用指南

Syntheticquartzcrystal—Specificationsandguidelinesforuse

IEC607582016MOD

(:,)

2025-12-31发布2026-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T3352—2025

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅴ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

人造石英晶体技术要求

4…………………5

人造石英晶体制材技术要求

5……………17

人造石英晶体及其制材的检验规则

6……………………21

压电人造石英晶体使用指南

7……………23

附录资料性点卡尺的说明

A()…………31

附录资料性包裹体密度计算示例

B()…………………32

附录资料性包裹体密度标准样品选取示例

C()………33

附录资料性常用的包裹体抽样程序

D()………………34

附录资料性红外系数α值补偿

E()……………………36

附录资料性石英的正交轴系统在标准和标准之间的差异

F()IECIEEE…………39

附录资料性色散红外光谱仪和傅里叶变换红外光谱仪之间α测量值的一致性

G()………………41

参考文献

……………………44

图石英晶体的轴和切割方向

1……………8

图用Z切籽晶生长的人造石英晶体理想截面

2…………9

图切片r小菱面切片X切片Y切片Z切片的切割典型示例

3AT、()、、、……………11

图试验样品频率温度特性

4-……………14

图典型条纹系统

5………………………15

图人造石英晶体制材的外形尺寸X轴Y轴Z轴方向

6(、、)…………18

图基准面角度偏差

7……………………19

图相对于Z轴或Z'轴尺寸的籽晶中心位置

8…………20

图石英晶体轴和面的名称

9……………24

图石英晶体直角坐标系表示的用X轴向尺寸小的Z切籽晶生长的人造石英晶体

10,……………25

图波数为-1时α-Q值关系示例

113500cm……………27

图点式卡尺

A.1…………………………31

图数字式点式卡尺

A.2…………………31

图测量示意图

E.1………………………36

图在αα两个波数下α的测量值与平均值的关系曲线

E.23585、3500,…………………38

Ⅰ

GB/T3352—2025

图左旋和右旋石英晶体

F.1……………40

图α值的测量值和参考值之间的关系

G.1……………42

表压电晶体包裹体密度级别

1……………5

表光学晶体包裹体密度级别

2……………6

表压电晶体红外质量等级

3………………6

表光学晶体红外质量和条纹级别

4………………………6

表腐蚀隧道密度级别ρ

5…………………7

表组逐批检验的试验条件及要求

6A()………………22

表组逐批检验的试验条件及要求

7B()………………22

表逐批检验的试验条件及要求

8………………………23

表商品棒材的抽样方法

B.1———1……………………32

表商品棒材的抽样方法

B.2———2……………………32

表α修正数据举例

E.13583………………37

表α修正数据举例

E.23500………………37

Ⅱ

GB/T3352—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替人造石英晶体规范与使用指南与相比除

GB/T3352—2012《》,GB/T3352—2012,

结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

,:

增加了表征光学用人造石英晶体特性的个术语及其定义见

———5(3.27、3.28、3.29、3.30、3.31);

删除了部分术语及其定义见年版的

———(20123.2.3、3.6、3.8.1、3.11、3.13);

增加了光学用人造石英晶体的技术要求和试验方法即对包裹体密度条纹α值的等级分类

———,、、

和透射率指标进行了明确和细化见对光学

(4.1.3.2、4.1.4、4.1.6、4.1.8.2、4.1.9、4.2.8、4.2.9),

透射率的制样和测量程序进行了规范见

(4.2.11);

增加了电清洗石英晶体和高纯度低铝石英晶体使用指南的内容见

———(7.6.4);

删除了红外吸收系数α值所对应的红外质量级别见年版的

———3410(20124.1.3);

删除了红外吸收系数α值补偿中有关α吸收波数和α修正数据举例见年版的附

———34103410(2012

录

E);

本文件修改采用人造石英晶体规范与使用指南

IEC60758:2016《》。

本文件与相比做了下述结构调整

IEC60758:2016:

附录附录对应的附录附录

———A、DIEC60758:2016D、A。

本文件与的技术差异及其原因如下

IEC60758:2016:

用规范性引用的替换了见和以适应我国的技术条

———GB/T2828.1IEC60410(6.1.2.26.2.2.2),

件增加可操作性

,;

用规范性引用的替换了见和两个文件

———GB/T12273.1—2017IEC60122-1:2002(4.1.74.2.7),

之间的一致性程度为修改以适应我国的技术条件增加可操作性

,,;

用规范性引用的所有部分替换了见第章以适应我国

———SJ/T11743()IEC61994(allparts)(3),

的技术条件增加可操作性

,;

删除了部分术语及其定义见的

———(IEC60758:20163.5、3.9、3.22、3.24);

更改了同一时期提交的同一个高压釜内生长的人造石英晶体为同一时期按同一工艺同一

———“”“、

原料生长的按同一技术条件提交的人造石英晶体见以符合我国实际情况

,”(3.5),;

更改了晶面符号为为见及图图图图图以符合国内符

———“z”“r”,“r”“R”[3.131、2b)、3、9、10],

号体系

;

更改了籽晶角度偏差应小于为角度偏差应小于见以真实反映国内现行加

———“30'”“20'”(4.2.1),

工技术水平

;

更改了检测光源见以匹配与国内检测操作方法

———(4.2.8),;

增加了样品的厚度范围见以符合实际应用

———(4.2.11),;

更改了大X面为X面小X面为X面并增加大X和小X见

———“”“+”,“”“-”,“()”“()”(

以符合国内标注时的习惯称谓

4.3.1),;

更改了基准面平面度应不大于为见以符合我国的实际要求

———“0.2mm”“0.1mm”(5.1.2),;

更改了交货批量的描述由较大改为不大见以与的修改相适应

———“”“”(5.3.4),3.5;

更改了检验批的表述见与修改相适应

———(6.2.2.1),3.5;

增加了籽晶品质这一影响晶体生长的因素见以使描述更加全面

———“”(7.1.2),。

Ⅲ

GB/T3352—2025

本文件做了下列编辑性改动

:

将压力的值和单位更改为国际单位制的值和单位

———“Atm”“MPa”;

将角度更改为

———“35.25°”“35°15'”;

删除容易误解的相应级别最小Q值且级别错误的说明性文字

———、B。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC182)。

本文件起草单位北京石晶光电科技股份有限公司江阴市天盛光电高科有限公司山东博达光电

:、、

有限公司

。

本文件主要起草人朱中晓徐俊刘盛浦

:、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为年第一次修订

———1981GB/T3352—1982,1994;

年第二次修订时并入了人造石英晶体使用指南的内容和

———2012,GB/T3353—1995《》

人造石英晶体制材的内容

GB/T6628—1996《》;

本次为第三次修订

———。

Ⅳ

GB/T3352—2025

引言

本文件中增加光学用人造石英晶体的原因如下

:

光学用石英晶体是由许多与压电用石英晶体相同的供应商生产用于生产光学用石英晶体的设备

。

和方法与压电用石英晶体类似并且除了极少的差异压电用和光学用人造石英晶体材料的特性是相

。,,

似的因此在本文件中增加光学石英晶体的相关内容是恰当的

。,。

Ⅴ

GB/T3352—2025

人造石英晶体规范与使用指南

1范围

本文件规定了频率控制和选择压电元件用人造石英晶体和光学用人造石英晶体的术语和定义技

、

术要求测量方法检验规则及使用指南

、、。

本文件适用于制造频率控制和选择压电元件用人造石英晶体以下简称压电晶体和光学用人造

(“”)

石英晶体以下简称光学晶体

(“”)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

环境试验概述和指南

GB/T2421—2020(IEC60068-1:2013,IDT)

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划

GB/T2828.11:(AQL)

(GB/T2828.1—2012,ISO2859-1:1999,IDT)

有质量评定的石英晶体元件第部分总规范

GB/T12273.1—20171:(IEC60122-1:2002,

MOD)

所有部分频率控制与选择用压电与介电器件术语

SJ/T11743()

注频率控制与选择用压电和介电器件术语第部分压电和介电谐振器

:SJ/T11743.1—20191:(IEC/TS

61994-1:2007,IDT)

频率控制与选择用压电和介电器件术语第部分压电和介电滤波器

SJ/T11743.2—20192:(IEC/TS

61994-2:2011,IDT)

频率控制与选择用压电和介电器件术语第部分压电和介电振荡器

SJ/T11743.3—20193:(IEC/TS

61994-3:2011,IDT)

频率控制与选择用压电和介电器件术语第部分材料人造石英晶体

SJ/T11743.4.1—20194-1:

(IEC/TS61994-4-1:2007,MOD)

频率控制与选择用压电和介电器件术语第部分材料压电陶瓷

SJ/T11743.4.2—20194-2:(IEC/TS

61994-4-2:2011,IDT)

频率控制与选择用压电和介电器件术语第部分材料介电器件用材料

SJ/T11743.4.3—20194-3:

(IEC/TS61994-4-3:2008,IDT)

频率控制与选择用压电和介电器件术语第部分材料声表面波器件用材料

SJ/T11743.4.4—20194-4:

(IEC/TS61994-4-4:2010,IDT)

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

SJ/T11743。

31

.

水热晶体生长法hydrothermalcrystalgrowth

在高温高压下在水中的晶体生长晶体生长过程被认为是在地壳内的地质变化过程

,。。

1