GB/T 46697-2025 电子级八甲基环四硅氧烷
GB/T 46697-2025 Electronic grade octamethyl cyclotetrasiloxane
基本信息
本文件适用于沉积氧化硅、碳氧掺杂硅、碳化硅等硅基膜的电子级八甲基环四硅氧烷，以其优异的绝缘性和耐高温性在半导体领域用作封装隔离层、集成电路绝缘层和介电层等。
发布历史
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2025年10月
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研制信息
- 起草单位：
- 南大光电半导体材料有限公司、苏州实验室、中国电子技术标准化研究院、江苏南大光电材料股份有限公司、广州赛西标准检测研究院有限公司、长江存储科技有限责任公司、浙江佳汇新材料有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、上海市计量测试技术研究院、云南能投硅材科技发展有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、全椒南大光电材料有限公司、浙江新安化工集团股份有限公司、宁波南大光电材料有限公司、湖北兴瑞硅材料有限公司、南大光电(乌兰察布)有限公司、金宏气体股份有限公司、南大光电(淄博)有限公司
- 起草人：
- 陈德义、沈伊凡、曹可慰、茅炳荣、史泽远、曹益宁、孙建、赵俊莎、刘立伟、马瑞、孙鹏、张婷、徐文涛、李春华、张健、何靖、鲁铮、吴怡然、白伟、宋芳源、万烨、高周、王荣、李加旺、江晓婷、毛国玉、张宝帅、李俊杰、汪晨、孙丽丽、刘阳赞、王勇、陈功锋、陆平、张鹏、李书兵、彭元兵、刘能巧、王敏华、李双、魏有文、刘治、陈琪、钱瑶
- 出版信息：
- 页数：16页 | 字数：23 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS31.030
CCSL90
中华人民共和国国家标准
GB/T46697—2025
电子级八甲基环四硅氧烷
Electronicgradeoctamethylcyclotetrasiloxane
2025⁃10⁃31发布2026⁃05⁃01实施
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会发布
GB/T46697—2025
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规
定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）提出并归口。
本文件起草单位：南大光电半导体材料有限公司、苏州实验室、中国电子技术标准化研究院、江苏
南大光电材料股份有限公司、广州赛西标准检测研究院有限公司、长江存储科技有限责任公司、浙江佳
汇新材料有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、上海市计量测试技术研究院、云南能投硅
材科技发展有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、全椒南大光电材料有限公司、浙江新安化工集团股份
有限公司、宁波南大光电材料有限公司、湖北兴瑞硅材料有限公司、南大光电（乌兰察布）有限公司、
金宏气体股份有限公司、南大光电（淄博）有限公司。
本文件主要起草人：陈德义、沈伊凡、曹可慰、茅炳荣、史泽远、曹益宁、孙建、赵俊莎、刘立伟、马瑞、
孙鹏、张婷、徐文涛、李春华、张健、何靖、鲁铮、吴怡然、白伟、宋芳源、万烨、高周、王荣、李加旺、江晓婷、
毛国玉、张宝帅、李俊杰、汪晨、孙丽丽、刘阳赞、王勇、陈功锋、陆平、张鹏、李书兵、彭元兵、刘能巧、
王敏华、李双、魏有文、刘治、陈琪、钱瑶。
Ⅰ
GB/T46697—2025
电子级八甲基环四硅氧烷
1范围
本文件规定了半导体行业用电子级八甲基环四硅氧烷的技术要求、检验规则、包装、标志、随货资
料、运输、贮存及安全警告的要求，描述了对应的检测方法。
本文件适用于沉积氧化硅、碳氧掺杂硅、碳化硅等硅基膜的电子级八甲基环四硅氧烷，以其优异的
绝缘性和耐高温性在半导体领域用作封装隔离层、集成电路绝缘层和介电层等。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文
件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于
本文件。
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3术语和定义
本文件没有需要界定的术语和定义。
4技术要求
电子级八甲基环四硅氧烷应符合表1的规定。
1
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