GB/T 30118-2026 声表面波(SAW)器件用单晶晶片 规范与测量方法

ICS31140

CCSL.21

中华人民共和国国家标准

GB/T30118—2026

代替GB/T30118—2013

声表面波SAW器件用单晶晶片

()

规范与测量方法

SinlecrstalwafersforsurfaceacousticwaveSAWdevicealications—

gy()pp

Specificationsandmeasuringmethods

IEC622762025MOD

(:,)

2026-08-28发布2027-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T30118—2026

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

技术要求

4…………………6

抽样方案

5…………………10

检验方法

6…………………11

包装标签和标识交货条件

7、、……………12

晶面角度的测量使用射线

8(X)………………………13

体积电阻率的测量

9………………………14

晶片正面缺陷和包裹体检查方法

10……………………16

厚度和厚度变化的测量

11………………17

透过率的测量

12…………………………18

明度与色差的测量

13……………………18

附录规范性压电单晶的欧拉角表示法

A()……………20

附录资料性晶片制造工艺

B()SAW…………………23

附录资料性明度和色差测量原理

C()…………………29

Ⅰ

GB/T30118—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替声表面波器件用单晶晶片规范与测量方法与

GB/T30118—2013《(SAW)》,

相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

GB/T30118—2013,,:

删除了晶片用单晶晶体术语和定义小节见年版的

a)“SAW”(20133.1);

增加了术语包裹体明度色差还原还原还原处理透过率及其定义见

b)“”“”“”“LN”“LT”“”“”(

更改了术语双晶为石英晶片中的电双晶并

3.3.11、3.4.1、3.4.2、3.4.3、3.4.4、3.4.5、3.4.6),“”“”,

更改其定义见年版的更改了术语参考平面的定义见年版

(3.3.12,20133.4.3),“”(3.1.2,2013

的并按照平面度表面缺陷其他术语和定义和晶片相关的术语和定义进行

3.7.2),、、、LNLT

了重新归类见第章年版的第章

(3,20133);

删除了材料石英晶片的腐蚀隧道密度居里温度和允差晶格常数等技术要求见

c)“”“”“”“”(2013

年版的增加了和石英晶片中的电双晶还原

4.1、4.2.13、4.2.15、4.2.16),“LTVPLTV”“”“LN

和的体积电阻率电导率透过率明度色差等技术要求见

LT()”“”“”“”(4.10、4.15、4.17、4.18、

4.19、4.20);

更改了抽样规定抽样方案覆盖了技术要求见第章年版的第章

d),(5,20135);

删除了居里温度和晶格常数检验方法见年版的第章第章增加了长度

e)“”“”(20138、9),“SF”

的方向和石英晶片中的电双晶正面粗糙度体积电阻率透过率

“SF”“LTVPLTV”“”“”“”“”

明度色差的检验方法见

“”“”(6.4、6.5、6.8、6.12、6.14、6.16、6.17、6.18、6.19);

删除了居里温度的测量和晶格常数的测量两章见年版的第章和第章

f)“”“”(201389);

增加了体积电阻率的测量厚度和厚度变化的测量透过率的测量明度与色差的测量等

g)“”“”“”“”

章见第章第章第章第章

(9、11、12、13);

增加了包裹体的检查见第章

h)(10);

更改了表中欧拉角指示和图中晶向标注见附录年版的附录

i)A.1A.3(A,2013A)。

本文件修改采用声表面波器件用单晶晶片规范与测量方法

IEC62276:2025《(SAW)》。

本文件与的技术差异及其原因如下

IEC62276:2025:

更改了表表图中的为见附录

a)4,A.1、A.3“128°Y-X、X-112°Y”“127.86°Y-X、X-112.2°Y”(8.5、

以符合我国行业习惯

A),;

更改了定向允差为定向允差见以符合我国当前的技术情况

b)“:±30'”“:±15'”(4.4),;

更改了为见以符合我国国情并与

c)“LN、LT、LBO:±20'”“LN、LT、LBO:±15'”(4.12),,4.4b)

保持一致

。

本文件做了下列编辑性改动

:

图中使用电阻测试仪测得值单位更改为

a)10“Ω·cm”“Ω”;

调整透过率的计算公式计算结果乘以换算为百分率

b)(5),100%;

图中更正为

c)A.3a)“37.89°”“37.86°”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC182)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第二十六研究所中电科技德清华莹电子有限公司天通

:、、

Ⅲ

GB/T30118—2026

控股股份有限公司北京石晶光电科技股份有限公司

、。

本文件主要起草人石自彬贝伟斌徐秋峰朱中晓

:、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为

———2013GB/T30118—2013;

本次为第一次修订

———。

Ⅳ

GB/T30118—2026

声表面波SAW器件用单晶晶片

()

规范与测量方法

1范围

本文件界定了人造石英铌酸锂钽酸锂四硼酸锂和硅酸镓镧等单晶晶

、(LN)、(LT)、(LBO)(LGS)

片的术语规定了技术要求和抽样方案描述了相关检验及测量方法

,,。

本文件适用于用作声表面波滤波器和谐振器基片材料的单晶晶片包含人造石英铌酸锂

(SAW),、

钽酸锂四硼酸锂和硅酸镓镧等

(LN)、(LT)、(LBO)(LGS)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

人造石英晶体规范与使用指南

GB/T3352—2025(IEC60758:2016,MOD)

注被引用的内容与被引用的内容没有技术上的差异

:GB/T3352—2025IEC60758:2016。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31平面度

.

311

..

稳定质量区域fixedqualityareaFQA

;

由晶片标称边缘排除定义参数规定值适用的晶片表面中心区域

X,。

注的边界是指距晶片标称直径边缘包括基准面的所有点如图所示

:FQA()X,1。

312

..

参考平面referenceplane

平面度测量中作为基准的平面

。

注参考平面选用下列平面之一

::

夹持测量时与晶片背面相接触的承载平面

a),;

非夹持测量时晶片正面区域内三个点的表面高度构成的平面

b),FQA;

非夹持测量时在晶片正面的区域内由全部测量点的表面高度通过最小二乘法拟合构成的平面

c),FQA,。

313

..

选定区域site

晶片正面的正方形区域其一条边平行于基准面

,(OF)。

注平面度参数能在整个区域内测量也能在每个选定区域单独测量

:FQA,。

1