GB/T 48164.1-2026 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T481641—2026/IEC63275-12022

.:

半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场

效应晶体管SiCMOSFET可靠性试验方法

()

第1部分偏置温度不稳定性试验方法

:

Semiconductordevices—Reliabilitytestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide

semiconductorfieldeffecttransistorsSiCMOSFET—

()

Part1Testmethodforbiastemeratureinstabilit

:py

IEC63275-12022Semiconductordevices—Reliabilittestmethodfor

(:,y

siliconcarbidediscretemetal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistors—

Part1TestmethodforbiastemeratureinstabilitIDT

:py,)

2026-08-28发布2027-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T481641—2026/IEC63275-12022

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验要求

4…………………1

样品

4.1…………………1

试验温度

4.2……………1

试验电压

4.3……………1

试验时间

4.4……………1

测量温度

4.5……………1

失效判据

4.6……………2

试验电路

4.7……………2

试验程序

5…………………2

试验流程

5.1……………2

样品选择

5.2……………3

V测量方法

5.3GS(th)………………………3

如何提供V的可重复测量

5.4GS(th)……………………5

初始值测量

5.5…………………………5

施加电压和温度应力

5.6………………5

去除电压和温度应力

5.7………………5

中间测量

5.8……………5

试验报告

6…………………6

参考文献

………………………

7

Ⅰ

GB/T481641—2026/IEC63275-12022

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可

GB/T48164《(SiCMOSFET)

靠性试验方法的第部分已经发布了以下部分

》1。GB/T48164:

第部分偏置温度不稳定性试验方法

———1:;

第部分体二极管工作引起双极退化的试验方法

———2:。

本文件等同采用半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可

IEC63275-1:2022《

靠性试验方法第部分偏置温度不稳定性试验方法

1:》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

———,《

可靠性试验方法第部分偏置温度不稳定性试验方法

(SiCMOSFET)1:》;

删除了术语数据库网址

———ISO、IEC。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位工业和信息化部电子第五研究所中国电子科技集团公司第五十五研究所株洲

:、、

中车时代半导体股份有限公司东南大学北京国联万众半导体科技有限公司清纯半导体宁波有限

、、、()

公司安徽长飞先进半导体股份有限公司龙腾半导体股份有限公司浙江大学河北博威集成电路有限

、、、、

公司河北北芯半导体科技有限公司电子科技大学