GB/T 48164.1-2026 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T481641—2026/IEC63275-12022

.:

半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场

效应晶体管SiCMOSFET可靠性试验方法

()

第1部分偏置温度不稳定性试验方法

:

Semiconductordevices—Reliabilitytestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide

semiconductorfieldeffecttransistorsSiCMOSFET—

()

Part1Testmethodforbiastemeratureinstabilit

:py

IEC63275-12022Semiconductordevices—Reliabilittestmethodfor

(:,y

siliconcarbidediscretemetal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistors—

Part1TestmethodforbiastemeratureinstabilitIDT

:py,)

2026-08-28发布2027-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T481641—2026/IEC63275-12022

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验要求

4…………………1

样品

4.1…………………1

试验温度

4.2……………1

试验电压

4.3……………1

试验时间

4.4……………1

测量温度

4.5……………1

失效判据

4.6……………2

试验电路

4.7……………2

试验程序

5…………………2

试验流程

5.1……………2

样品选择

5.2……………3

V测量方法

5.3GS(th)………………………3

如何提供V的可重复测量

5.4GS(th)……………………5

初始值测量

5.5…………………………5

施加电压和温度应力

5.6………………5

去除电压和温度应力

5.7………………5

中间测量

5.8……………5

试验报告

6…………………6

参考文献

………………………7

Ⅰ

GB/T481641—2026/IEC63275-12022

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可

GB/T48164《(SiCMOSFET)

靠性试验方法的第部分已经发布了以下部分

》1。GB/T48164:

第部分偏置温度不稳定性试验方法

———1:;

第部分体二极管工作引起双极退化的试验方法

———2:。

本文件等同采用半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可

IEC63275-1:2022《

靠性试验方法第部分偏置温度不稳定性试验方法

1:》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

———,《

可靠性试验方法第部分偏置温度不稳定性试验方法

(SiCMOSFET)1:》;

删除了术语数据库网址

———ISO、IEC。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位工业和信息化部电子第五研究所中国电子科技集团公司第五十五研究所株洲

:、、

中车时代半导体股份有限公司东南大学北京国联万众半导体科技有限公司清纯半导体宁波有限

、、、()

公司安徽长飞先进半导体股份有限公司龙腾半导体股份有限公司浙江大学河北博威集成电路有限

、、、、

公司河北北芯半导体科技有限公司电子科技大学广东天域半导体股份有限公司环鑫半导体

、、、、TCL

天津有限公司北京第三代半导体产业技术创新战略联盟中国南方电网有限责任公司超高压输电公

()、、

司电力科研院南京南瑞半导体有限公司深圳市威兆半导体股份有限公司江苏应能微电子股份有限

、、、

公司江苏长晶科技股份有限公司上海贝岭股份有限公司

、、。

本文件主要起草人陈媛陈兴欢陈义强何亮施宜军来萍彭超张国斌罗海辉路国光赵鹏

:、、、、、、、、、、、

孙伟峰魏家行谭永亮吴帆正树夏焕春曹琳陈敏姚尧苏日丽张园览何健锋王舶男张家祺

、、、、、、、、、、、、、

闫志峰席善斌王珩宇郭清刘宇黄洪钟丁雄杰杨玉聪张新玲高伟王振罗望春骆健朱郑允

、、、、、、、、、、、、、、

李伟聪马利奇孙明光刘伟伟杨国江吴孝严

、、、、、。

Ⅲ

GB/T481641—2026/IEC63275-12022

.:

引言

半导体器件作为电子行业产业链中的通用基础产品是电子系统中的最基本单元

,,GB/T48164

半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法对于评价和考

《(SiCMOSFET)》

核的质量和可靠性起着重要作用拟由两个部分构成

SiCMOSFET,。

第部分偏置温度不稳定性试验方法目的在于制定阈值电压测试方法评

———1:。SiCMOSFET,

估在偏压与温度应力下的阈值电压稳定性

SiCMOSFET。

第部分体二极管工作引起双极退化的试验方法目的在于评估由于流经体二极管的电流

———2:。

而导致的的导通电压降变化导通电阻增加和反向漏极电压变化

SiCMOSFET、。

随着材料器件技术的不断突破与发展近年来在新能源电动汽车等领域应用

SiC、,SiCMOSFET、

越来越广泛但是器件与器件检测方法的差异较大在原有功率器件本身测试方法

,SiCMOSFETSi,Si

与技术要求的标准体系没有充分展开产品标准不完善的背景下标准的滞后无法满足新兴产业的健

、,

康有序发展为了加快推进功率器件的产业化发展和规模化应用迫切需要制定

、。SiCMOSFET,SiC

功率器件的标准和规范以指导和促进功率器件的性能不断提升保障质量可

MOSFET,SiCMOSFET,

靠应用符合实际需求

,。

Ⅳ

GB/T481641—2026/IEC63275-12022

.:

半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场

效应晶体管SiCMOSFET可靠性试验方法

()

第1部分偏置温度不稳定性试验方法

:

1范围

本文件描述了在高温下施加连续栅极源极正电压应力后在室温下评估的阈值电

-,SiCMOSFET

压漂移的试验方法该试验方法允许应力和测量之间设置较长的延迟时间最长可达以此接受

。(10h),

一定程度的阈值电压恢复现象

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件分立器件第部分场效应晶体管

IEC60747-88:(Semiconductordevices—

Discretedevices—Part8:Field-effecttransistors)

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

IEC60747-8。

4试验要求

41样品

.

除另有规定外每个试验条件宜至少使用只样品以评估阈值电压V漂移的典型现象当

,4,[GS(th)]。

使用该试验方法验证产品可靠性时样本量宜通过考虑器件间V漂移值的偏差和产品的目标应用

,GS(th)

来确定

。

42试验温度

.

在样品最大额定温度范围内进行试验

。

43试验电压

.

在样品栅源电压V最大额定值范围内进行试验本文件中的试验仅针对正V应力

(GS),GS。

44试验时间

.

试验时间可分别设置为达到V失效判据的时间或收集到所需数据的时间通过该数据可依据

GS(th),,

对数时间关系外推至V失效判据升温及测量V的时间不应计入试验时间

GS(th)。GS(th)。

45测量温度

.

在室温环境下进行测量如在整个测量过程中测量温度应保持不变

,23℃±2℃。,。

1