GB/T 48164.2-2026 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T481642—2026/IEC63275-22022

.:

半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场

效应晶体管SiCMOSFET可靠性试验方法

()

第2部分体二极管工作引起双极退化的

:

试验方法

Semiconductordevices—Reliabilitytestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide

semiconductorfieldeffecttransistorsSiCMOSFET—Part2Testmethodfor

():

bipolardegradationduetobodydiodeoperation

IEC63275-22022Semiconductordevices—Reliabilittestmethodfor

(:,y

siliconcarbidediscretemetal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistors—

Part2TestmethodforbiolarderadationduetoboddiodeoerationIDT

:pgyp,)

2026-08-28发布2027-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T481642—2026/IEC63275-22022

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验方法

4…………………1

概述

4.1…………………1

原理

4.2…………………2

要求

4.3…………………2

参数设置

4.4……………3

试验程序

4.5……………4

评估

4.6…………………4

试验报告

4.7……………4

Ⅰ

GB/T481642—2026/IEC63275-22022

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可

GB/T48164《(SiCMOSFET)

靠性试验方法的第部分已经发布了以下部分

》2。GB/T48164:

第部分偏置温度不稳定性试验方法

———1:;

第部分体二极管工作引起双极退化的试验方法

———2:。

本文件等同采用半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可

IEC63275-2:2022《

靠性试验方法第部分体二极管工作引起双极退化的试验方法

2:》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

———,《

可靠性试验方法第部分体二极管工作引起双极退化的试验方法

(SiCMOSFET)2:》;

删除了术语数据库网址

———ISO、IEC;

修正了中在测量温度下测量样品的VR和V为在测量温度下测量样品的

———4.5.3“DS(on)、DS(on)SD”“

VR和V表示为VR和V

DS(on)、DS(on)SD,DS(on)0、DS(on)0SD0”;

修正了中作为第i个中间值V为作为第i次中间测量的值表示为Vi

———4.5.5“DS(on)”“,DS(on)、

Ri和Vi

DS(on)SD”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位工业和信息化部电子第五研究所电子科技大学深圳平湖实验室合肥工业大

:、、、

学湖南大学中国电子科技集团公司第五十五研究所北京智慧能源研究院清纯半导体宁波有限公

、、、、()

司山东大学株洲中车时代半导体股份有限公司河北博威集成电路有限公司北京第三代半导体产业

、、、、

技术创新战略联盟广东天域半导体股份有限公司江苏环鑫半导体有限公司西安卫光科技有限公司

、、、、

上海航天技术基础研究所国家市场监督管理总局认证认可技术研究中心乐山希尔电子股份有限公

、、

司上海贝岭股份有限公司杭州高坤电子科技股份有限公司

、、。

本文件主要起草人陈媛路国光陈兴欢来萍韦覃如何亮侯波刘陆川邵伟恒陈万军施宜军

:、、、、、、、、、、、

万玉喜邓二平陈义强王俊张国斌金锐修德琦崔潆心陈中圆梁世维李瑞莲孙博韬罗海辉

、、、、、、、、、、、、、

姚尧卢啸郭跃伟高伟黄土地丁雄杰敖松泉陈澄智晶李飞马林东吴海文王若冰邓华鲜

、、、、、、、、、、、、、、

张丙可吴一帆胡久恒

、、。

Ⅲ

GB/T481642—2026/IEC63275-22022

.:

引言

半导体器件作为电子行业产业链中的通用基础产品是电子系统中的最基本单元

,,GB/T48164

半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法对于评价和考

《(SiCMOSFET)》

核的质量和可靠性起着重要作用拟由两个部分构成

SiCMOSFET,。

第部分偏置温度不稳定性试验方法目的在于制定阈值电压测试方法评

———1:。SiCMOSFET,

估在偏压与温度应力下的阈值电压稳定性

SiCMOSFET。

第部分体二极管工作引起双极退化的试验方法目的在于评估由于流经体二极管的电流

———2:。

而导致的的导通电压降变化导通电阻增加和反向漏极电压变化

SiCMOSFET、。

随着材料器件技术的不断突破与发展近年来在新能源电动汽车等领域应用

SiC、,SiCMOSFET、

越来越广泛但是器件与器件检测方法的差异较大在原有功率器件本身测试方法

,SiCMOSFETSi,Si

与技术要求的标准体系没有充分展开产品标准不完善的背景下标准的滞后无法满足新兴产业的健

、,

康有序发展为了加快推进功率器件的产业化发展和规模化应用迫切需要制定

、。SiCMOSFET,SiC

功率器件的标准和规范以指导和促进功率器件的性能不断提升保障质量可

MOSFET,SiCMOSFET,

靠应用符合实际需求

,。

Ⅳ

GB/T481642—2026/IEC63275-22022

.:

半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场

效应晶体管SiCMOSFET可靠性试验方法

()

第2部分体二极管工作引起双极退化的

:

试验方法

1范围

本文件描述了用于评估由于体二极管工作引起的功率金属氧化物半导体场效

SiC(siliconcarbide)

应晶体管导通电压变化导通电阻变化和反向漏极电压变化的试验方法和程序

(MOSFET)、。

硅功率晶体管通常不要求进行此试验

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件分立器件第部分场效应晶体管

IEC60747-88:(Semiconductordevices—

Discretedevices—Part8:Field-effecttransistors)

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

IEC60747-8。

31

.

碳化硅siliconcarbide

由硅和碳组成的化合物半导体材料

。

32

.

导通电压变化on-statevoltagechange

从器件源极端到漏极端的体二极管电流应力引起的器件导通电压V的变化

,[DS(on)]。

33

.

导通电阻变化on-stateresistancechange

从器件源极端到漏极端的体二极管电流应力引起的器件导通电阻R的变化

,[DS(on)]。

34

.

反向漏极电压变化reversedrainvoltagechange

从器件源极端到漏极端的体二极管电流应力引起的器件反向漏极电压V的变化

,(SD)。

4试验方法

41概述

.

当体二极管电流流过在晶体上制造的沟道垂直功率的体二极管时导通电压导

SiCnMOSFET,、

1