T/IAWBS 006-2018 碳化硅混合模块测试方法

T/IAWBS 006-2018

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基本信息

标准号
T/IAWBS 006-2018
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2018-12-06
实施日期
2018-12-17
发布单位/组织
-
归口单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
范围:本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求; 主要技术内容:本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。本标准规定了极限值试验,特性参数测试、耐久性测试,根据特性参数确认模块特性,由此判断是否通过极限值试验。参数包括(集电极-发射极电压VCES, 二极管反向电压VR、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES、最大集电极电流IC、二极管正向(直流)电流IF、集电极峰值电流ICM、二极管正向峰值电流IFM、反偏安全工作区RBSOA、短路安全工作区1 SCSOA1、二极管正向(不重复)浪涌电流IFSM、端子和底板之间的绝缘电压Visol等)。本标准还规定了检测报告中应给出的信息

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研制信息

起草单位:
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、北 京天科合达半导体股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司、泰科天润半导体科技(北 京)有限公司
起草人:
张瑾、仇志杰、陆敏、彭同华、刘振洲、王志超、陈彤、郑红军、 林雪如、陈鹏、刘祎晨
出版信息:
页数:- | 字数:- | 开本: -

内容描述

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