GB/T 44791-2024 集成电路三维封装 带凸点圆片减薄工艺过程和评价要求

ICS31200

CCSL.55

中华人民共和国国家标准

GB/T44791—2024

集成电路三维封装带凸点圆片减薄工艺

过程和评价要求

Integratedcircuit3Dpackaging—Requirementforbumping-wafer-thining

processandevaluation

2024-10-26发布2025-05-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T44791—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义和缩略语

3、………………………1

术语和定义

3.1…………………………1

缩略语

3.2………………2

一般要求

4…………………2

设备仪器和工装夹具

4.1、………………2

材料

4.2…………………3

注意事项

4.3……………3

详细要求

5…………………3

环境

5.1…………………3

典型工艺流程

5.2………………………3

工艺准备

5.3……………4

贴保护膜

5.4……………5

粗磨

5.5…………………5

细磨

5.6…………………5

抛光必要时

5.7()………………………6

清洗

5.8…………………6

紫外解胶必要时

5.9()…………………6

揭膜

5.10…………………6

标识贮存和转运

5.11、…………………6

包装

5.12…………………7

记录

5.13…………………7

评价要求

6…………………7

贴膜的评价要求

6.1……………………7

减薄的评价要求

6.2……………………7

清洗的评价要求

6.3……………………8

解胶及揭膜的评价要求

6.4……………8

Ⅰ

GB/T44791—2024

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第五十八研究所神州龙芯智能科技有限公司

:、。

本文件主要起草人袁世伟王波肖汉武王燕婷黄海林肖隆腾陈明敏

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T44791—2024

集成电路三维封装带凸点圆片减薄工艺

过程和评价要求

1范围

本文件规定了及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片的减薄工艺以下简称减薄工艺过

12in()

程和评价要求

。

本文件适用于及以下尺寸需减薄的带凸点圆片

12in。

注

:1in=2.54cm。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

3术语定义和缩略语

、

31术语和定义

.

下列术语和定义适用于本文件

。

311

..

粗糙度roughness

减薄面加工表面上具有的较小间距和峰谷所组成的微观几何形状特性

。

312

..

损伤层damagedlayer

于圆片减薄面逐步向内延伸最外层为粗糙碎裂的表面结构中间区域为由最外层带来的裂纹及其

,,

引伸微裂纹组成再向内为由微裂纹延伸区域延伸的弹性形变区域

,。

注损伤层示意图如图所示

:1。

图1损伤层示意图

1