GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
GB/T 42905-2023 Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
国家标准
中文简体
现行
页数：7页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 42905-2023
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2023-08-06
实施日期
2024-03-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018 cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018 cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。
发布历史
-
2023年08月
研制信息
- 起草单位：
- 安徽长飞先进半导体有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、布鲁克(北京)科技有限公司、中国科学院半导体研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司
- 起草人：
- 钮应喜、刘敏、袁松、赵丽霞、丁雄杰、吴会旺、仇光寅、李素青、李京波、张会娟、赵跃、彭铁坤、雷浩东、闫果果
- 出版信息：
- 页数：7页 | 字数：15 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT429052023
碳化硅外延层厚度的测试红外反射法
—
Testmethodforthicknessofsiliconcarbideeitaxiallaer
py
Infraredreflectancemethod
2023-08-06发布2024-03-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT429052023
前言
/—《:》
本文件按照
定制服务
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