GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试红外反射法

GB/T 42905-2023 Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method

国家标准中文简体现行页数：7页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 42905-2023

标准类型

国家标准

标准状态

现行

中国标准分类号（CCS）

H21 金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）

77.040 金属材料试验

发布日期

2023-08-06

实施日期

2024-03-01

发布单位/组织

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

适用范围

本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018 cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。

发布历史

2023年08月

GB/T 42905-2023　碳化硅外延层厚度的测试红外反射法

当前标准现行 2023-08-06

文前页预览

研制信息

起草单位：: 安徽长飞先进半导体有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、布鲁克(北京)科技有限公司、中国科学院半导体研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司

起草人：: 钮应喜、刘敏、袁松、赵丽霞、丁雄杰、吴会旺、仇光寅、李素青、李京波、张会娟、赵跃、彭铁坤、雷浩东、闫果果

出版信息：: 页数：7页 | 字数：15 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS77.040

CCSH21

中华人民共和国国家标准

/—

GBT429052023

碳化硅外延层厚度的测试红外反射法

—

Testmethodforthicknessofsiliconcarbideeitaxiallaer

Infraredreflectancemethod

2023-08-06发布2024-03-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT429052023

前言

/—《:》

本文件按照

定制服务

关联标准

引用标准

GB/T 6379.2

GB/T 6379.2-2004 测量方法与结果的准确度(正确度与精密度) 第2部分：确定标准测量方法重复性与再现性的基本方法

现行

GB/T 14264

GB/T 14264-2024 半导体材料术语

现行

GB/T 14264-1993 半导体材料术语

被代替

GB/T 14264-2009 半导体材料术语