GB/T 20176-2025 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

GB/T 20176-2025 Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials

国家标准 中文简体 即将实施 页数:24页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 20176-2025
相关服务
标准类型
国家标准
标准状态
即将实施
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2025-06-30
实施日期
2026-01-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国表面化学分析标准化技术委员会(SAC/TC 608)
适用范围
本文件详细说明了用标定的均匀掺杂物质(用注入硼的参考物质校准)确定单晶硅中硼的原子浓度的二次离子质谱方法。它适用于均匀掺杂硼浓度范围从1×1016 atoms/cm3~1×1020 atoms/cm3。

文前页预览

研制信息

起草单位:
清华大学、中国地质大学(北京)、中国矿业大学(北京)、中国人民公安大学、北京大学、中山大学、中国工程物理研究院材料研究所
起草人:
李展平、郭冲、王梦琴、和平、王富芳、刘兆伦、郎玉博、李芹、张硕、刘可心、吴美璇、陈建、伏晓国
出版信息:
页数:24页 | 字数:30 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS7104040

CCSG.04.

中华人民共和国国家标准

GB/T20176—2025/ISO142372010

:

代替GB/T20176—2006

表面化学分析二次离子质谱

用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

Surfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Determination

ofboronatomicconcentrationinsiliconusinguniformlydopedmaterials

ISO142372010IDT

(:,)

2025-06-30发布2026-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T20176—2025/ISO142372010

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

原理

3………………………1

参考物质

4…………………1

一级参考物质

4.1………………………1

二级参考物质

4.2………………………1

仪器

5………………………2

样品

6………………………2

步骤

7………………………2

二次离子质谱仪器的调试

7.1…………2

优化二次离子质谱仪器的设定

7.2……………………3

进样

7.3…………………3

被测离子

7.4……………3

校准

7.5…………………3

试样的测量

7.6…………………………5

结果表述

8…………………5

计算方法

8.1……………5

精密度

8.2………………6

测试报告

9…………………6

附录资料性硅片中载流子浓度确定

A()………………7

附录资料性用测量硼同位素比

B()SIMS……………9

附录规范性仪器性能的评估步骤

C()…………………12

附录资料性实验室间测试统计报告

D()………………14

参考文献

……………………17

GB/T20176—2025/ISO142372010

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件代替表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物质测定硅中硼的

GB/T20176—2006《

原子浓度与相比主要技术变化如下

》,GB/T20176—2006,:

更改了氧离子束的测试条件见年版的

———(7.1,20067.1)。

本文件等同采用表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物质测定硅中硼的

ISO14237:2010《

原子浓度

》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国表面化学分析标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC608)。

本文件起草单位清华大学中国地质大学北京中国矿业大学北京中国人民公安大学北京

:、()、()、、

大学中山大学中国工程物理研究院材料研究所

、、。

本文件主要起草人李展平郭冲王梦琴和平王富芳刘兆伦郎玉博李芹张硕刘可心

:、、、、、、、、、、

吴美璇陈建伏晓国

、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

———GB/T20176—2006;

本次为第一次修订

———。

GB/T20176—2025/ISO142372010

:

引言

本文件为用二次离子质谱对均匀掺杂硅片中硼原子浓

(secondaryionmassspectrometry,SIMS)

度的确定而制定

的定量分析需要参考物质价格昂贵经标定的参考物质仅适用于特定基体与杂质的组合

SIMS。

物在每一次测量中都不可避免地要消耗这些参考物质

。SIMS。

每个实验室可制备标定参考物质校准的二级参考物质它们在日常分析中很有用

,。

本文件描述用二级参考物质进行单晶硅中硼定量分析的标准步骤该二级参考物质经已标定注入

,

硼参考物质校准

GB/T20176—2025/ISO142372010

:

表面化学分析二次离子质谱

用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

1范围

本文件详细说明了用标定的均匀掺杂物质用注入硼的参考物质校准确定单晶硅中硼的原子浓度

()

的二次离子质谱方法它适用于均匀掺杂硼浓度范围从163203

。1×10atoms/cm~1×10atoms/cm。

2规范性引用文件

下列引用文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引

。,

用文件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适

,;,()

用于本文件

测量方法和结果的准确度正确度和精密度

ISO5725-2()(Accuracy(truenessandprecision)of

measurementmethodsandresults—Part2:Basicmethodforthedeterminationofrepeatabilityandre-

producibilityofastandardmeasurementmethod)

表面化学分析二次离子质谱硅中硼的深度剖析方法

ISO17560(Surfacechemicalanalysis—

Secondary-ionmassspectrometry—Methodfordepthprofilingofboroninsilicon)

注表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法

:GB/T40109—2021(ISO17560:2014,IDT)

表面化学分析二次离子质谱从离子注入的参考物质中确定相对灵敏度因子

ISO18114(Sur-

facechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Determinationofrelativesensitivity

factorsfromion-implantedreferencematerials)

注表面化学分析二次离子质谱由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子

:GB/T25186—2010—(ISO18114:

2003,IDT)

3原理

氧或铯离子束撞击到样品表面并对发射出的硼和硅的二次离子进行质量分析和检测

用均匀掺杂的二级参考物质经离子注入原始参考物质校准过的作为工作参考物质

()。

4参考物质

41一级参考物质

.

一级参考物质用于确定二级参考物质中硼的原子浓度一级参考物质应是一种硅中注硼的已标定

参考物质

(certifiedreferencematerial,CRM)。

42二级参考物质

.

421二级参考物质用于确定各测试样品中硼的原子浓度至少应有一块掺硼和一块不掺硼的参考

..。

物质用于日常分析推荐用另两块不同硼掺杂水平的参考物质来确定仪器的性能见附录

。(C)。

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