GB/T 20176-2006 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
GB/T 20176-2006 Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials
国家标准
中文简体
现行
页数:19页
|
格式:PDF
基本信息
标准号
GB/T 20176-2006
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2006-03-27
实施日期
2006-11-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国微束标准化技术委员会
适用范围
本标准详细说明了用标定的均匀掺杂物质(用注入硼的参考物质校准)确定单晶硅中硼的原子浓度的二次离子质谱方法。它适用于均匀掺杂硼浓度范围从1×10 16 atoms/cm 3~1×10 20 atoms/cm3。
发布历史
-
2006年03月
-
2025年06月
研制信息
- 起草单位:
- 清华大学电子工程系
- 起草人:
- 查良镇、陈旭、黄雁华、王光普、黄天斌、刘林、葛欣、桂东
- 出版信息:
- 页数:19页 | 字数:32 千字 | 开本: 大16开
内容描述
暂无内容
定制服务
推荐标准
- JB/T 10501-2026 电力半导体器件用管壳瓷件 2026-02-13
- JB/T 5836.2-2026 快恢复二极管第2部分:模块 2026-02-13
- JB/T 8661-2026 电力半导体模块结构件 2026-02-13
- JB/T 8757-2026 电力半导体器件用散热器热管散热器 2026-02-13
- JB/T 15404-2026 电力半导体模块整流管和晶闸管混合模块臂对 2026-02-13
- JB/T 15277-2026 氢用低温阀门技术规范 2026-02-13
- JB/T 10097-2026 电力半导体器件用管壳 2026-02-13
- JB/T 9684-2026 电力半导体器件用散热器选用导则 2026-02-13
- JB/T 5781-2026 电力半导体器件用散热器型材散热器 2026-02-13
- JB/T 9689-2026 牵引变电站(所)用整流设备 2026-02-13