DB61/T 512-2011 太阳电池用单晶硅片检验规则

ICS27.160

F12

DB61

陕西省地方标准

DB61/T512—2011

太阳电池用单晶硅片检验规则

2011-04-20发布2011-05-01实施

陕西省质量技术监督局发布

DB61/T512—2011

前言

本标准参考SEMIM6—2008《太阳光伏电池用硅片规范》、GB/T12965—2005《硅单晶切割片和研

磨片》，结合国内外晶体硅片现状及发展趋势制定。

本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。

本标准由陕西省工业和信息化厅归口。

本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西安烽火光伏科技股份有限公司、陕西华

山半导体材料有限责任公司、西安隆基硅材料股份有限公司共同负责起草。

本标准主要起草人：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、皇甫国、张超、赵可武。

本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。

本标准为首次发布。

I

DB61/T512—2011

太阳电池用单晶硅片检验规则

1范围

本标准规定了太阳电池用单晶硅片技术要求、试验方法和检验规则等内容。

本标准适用于太阳电池用单晶硅片（以下简称硅片）的检验。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1550—1997非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1553—2009硅和锗体内少数载流子寿命光测定电导衰减法

GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1555—2009半导体单晶晶向测定方法

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划

GB/T6617硅片电阻率测定扩展电阻探针法

GB/T6618—2009硅片厚度和总厚度变化的测试方法

GB/T6619—2009硅片弯曲度测试方法

GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法

SEMIMF1535—2007微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

线痕sawmark

硅片在线切割过程中产生的切割痕迹。

3.2

径向电阻率变化radialresistivitytolerance

晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若干对称分布的设置点（典型设置点是晶片半径的1/2处或

靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为测量差值除以中心值，以百分数

表示。又称径向电阻率梯度。

3.3

晶片厚度thicknessofslices

1

DB61/T512—2011

晶片中心点的厚度。对于本标准为硅片厚度。

3.4

总厚度变化（TTV）totalthicknessvariation

晶片厚度的最大值与最小值间的差。

4技术要求

4.1表面质量

表面质量要求见表1。